江蘇芯緣半導(dǎo)體有限公司
Jiangsu Thankyou Semiconductor Co.,Ltd.
1 ) 華為未來的危機(jī)淺析
可以將華為的未來危機(jī)歸納為以下三大層面：
一、 外部環(huán)境危機(jī)：地緣政治的“灰犀?！?/span>
這是華為面臨的最直接、最嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，具有長期性和不可控性。
1. 持續(xù)且可能升級的制裁與封鎖：
· 技術(shù)斷供：美國制裁切斷了華為從高端芯片設(shè)計(jì)（EDA軟件）到制造（臺積電代工）的路徑。盡管有庫存和國產(chǎn)替代，但在先進(jìn)制程（7nm及以下） 上仍被“卡脖子”，這直接制約了其5G基站和旗艦手機(jī)業(yè)務(wù)的競爭力。
· 市場排斥：以美國為首的“五眼聯(lián)盟”及其他部分國家，以國家安全為由將華為排除在其核心網(wǎng)絡(luò)建設(shè)之外。這種“政治正確”可能會(huì)蔓延到更多地區(qū)和領(lǐng)域，嚴(yán)重壓縮其全球市場份額。
· “長臂管轄”風(fēng)險(xiǎn)：只要全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈仍由美國技術(shù)主導(dǎo)，華為的任何供應(yīng)商都可能面臨美國的壓力，使其供應(yīng)鏈?zhǔn)冀K處于不穩(wěn)定狀態(tài)。
2. 全球科技陣營分化加速：
· 世界可能逐漸形成以中美為首的兩套技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)體系（如5G/6G、芯片、操作系統(tǒng)等）。華為若無法主導(dǎo)或深度融入新的體系，將面臨被孤立在主流市場之外的風(fēng)險(xiǎn)。
二、 技術(shù)與供應(yīng)鏈危機(jī)：生死攸關(guān)的“咽喉”問題
外部壓力直接轉(zhuǎn)化為內(nèi)部的技術(shù)生存危機(jī)。
1. 高端芯片的自主可控遙遙無期：
· 中國大陸的半導(dǎo)體制造技術(shù)（如中芯國際）與臺積電、三星等領(lǐng)先企業(yè)有代際差距。制造一顆高端手機(jī)SoC或服務(wù)器芯片涉及設(shè)計(jì)、材料、設(shè)備（如光刻機(jī)）等全產(chǎn)業(yè)鏈，絕非華為或中國一家公司短期內(nèi)能獨(dú)立突破的。
· 庫存消耗：華為依靠制裁前囤積的高端芯片維持了部分業(yè)務(wù)，但庫存是有限的。消耗殆盡后，若國產(chǎn)替代無法跟上，其產(chǎn)品競爭力將面臨斷崖式下跌的風(fēng)險(xiǎn)。
2. 軟件與生態(tài)系統(tǒng)的構(gòu)建挑戰(zhàn)：
· 鴻蒙生態(tài)的生死考驗(yàn)：華為用鴻蒙替代安卓，最大的挑戰(zhàn)不是技術(shù)本身，而是生態(tài)。能否吸引到足夠多的全球開發(fā)者，開發(fā)出海量的、高質(zhì)量的應(yīng)用，是決定鴻蒙能否生存下去的關(guān)鍵。目前，海外市場因無法使用GMS（谷歌移動(dòng)服務(wù)）而嚴(yán)重萎縮，鴻蒙主要依賴國內(nèi)市場，這使其成為一個(gè)“偏安一隅”的生態(tài)系統(tǒng)，難以與安卓、iOS在全球?qū)用娓偁帯?/span>
3. 供應(yīng)鏈重構(gòu)的成本與效率壓力：
· 打造一條“去美國化”或全國產(chǎn)的供應(yīng)鏈，意味著更高的成本、可能更低的良率和更長的交付周期。這將在全球市場競爭中削弱華為的成本優(yōu)勢和響應(yīng)速度。
三、 業(yè)務(wù)與財(cái)務(wù)危機(jī)：增長引擎的熄火與轉(zhuǎn)換
上述危機(jī)最終會(huì)反映在公司的業(yè)務(wù)和財(cái)務(wù)表現(xiàn)上。
1. 消費(fèi)者業(yè)務(wù)的萎縮與高端市場的丟失：
· 曾經(jīng)與蘋果、三星鼎立的手機(jī)業(yè)務(wù)，因芯片問題導(dǎo)致市場份額大幅下滑。即使推出支持5G的芯片版手機(jī)，其規(guī)模和先進(jìn)制程仍受限制。消費(fèi)者業(yè)務(wù)是華為重要的“現(xiàn)金?！?，此業(yè)務(wù)的萎縮直接沖擊其利潤和研發(fā)投入能力。
2. 新興業(yè)務(wù)的不確定性：
· 智能汽車解決方案：這是一個(gè)投入巨大、周期長、競爭極其激烈的賽道。華為堅(jiān)持“不造車”，作為供應(yīng)商與車企合作，但這種模式面臨主機(jī)廠的警惕（擔(dān)心靈魂被華為掌握），商業(yè)變現(xiàn)路徑長，且面臨博世等傳統(tǒng)巨頭和新興科技公司的雙重競爭。
· 云計(jì)算：國內(nèi)云計(jì)算市場已是“紅海”，阿里云、騰訊云等對手強(qiáng)大。華為云雖增長迅速，但面臨激烈價(jià)格戰(zhàn)，盈利壓力巨大。
3. 人才流失與“奮斗者文化”的挑戰(zhàn)：
· 長期的高壓和不確定的外部環(huán)境，可能影響內(nèi)部士氣，導(dǎo)致核心人才流失。同時(shí)，年輕的“00后”員工對“狼性文化”的接受度可能不如前輩，如何激勵(lì)新一代員工持續(xù)奮斗，是華為管理上面臨的新課題。
4. 財(cái)務(wù)壓力：
· 一方面，營收增長受限（消費(fèi)者業(yè)務(wù)受挫）；另一方面，研發(fā)投入（芯片、鴻蒙、自動(dòng)駕駛等）和供應(yīng)鏈重構(gòu)成本急劇增加。這一減一增，將嚴(yán)重考驗(yàn)華為的現(xiàn)金流和財(cái)務(wù)狀況。
總結(jié)與展望
華為正處在其歷史上最困難的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型期。它的危機(jī)本質(zhì)上是 “全球化公司”與“地緣政治撕裂”之間的矛盾的集中體現(xiàn)。
其未來的出路在于：
· 短期：依靠管理能力和技術(shù)儲備，“活下去”，維持核心電信業(yè)務(wù)的穩(wěn)定，并用各種方式延長消費(fèi)者業(yè)務(wù)的生命周期。
· 中期：不惜一切代價(jià)構(gòu)建自主或可控的供應(yīng)鏈，并全力扶持鴻蒙生態(tài)，守住國內(nèi)大本營。
· 長期：在新的技術(shù)浪潮（如AI、云計(jì)算、智能汽車） 中開辟新賽道，爭取成為規(guī)則的制定者，而非追隨者。
華為的未來，不僅是一家企業(yè)的生存問題，更已成為觀察中國高科技產(chǎn)業(yè)在逆全球化浪潮中能否突破重圍的一個(gè)關(guān)鍵風(fēng)向標(biāo)。
2 ) 2025年第三季晶圓代工市場：臺積電先進(jìn)制程獨(dú)霸，三星利潤暴增
全球晶圓代工市場2025年第三季競爭白熱化，四大業(yè)者表現(xiàn)各異，展現(xiàn)不同發(fā)展策略。臺積電憑借先進(jìn)制程技術(shù)優(yōu)勢持續(xù)鞏固龍頭地位；三星電子受惠GAA 2納米制程量產(chǎn)推動(dòng)獲利大幅改善；英特爾積極轉(zhuǎn)型Intel Foundry戰(zhàn)略布局AI供應(yīng)鏈，獲得政府資金挹注；中芯國際雖然營收創(chuàng)下新高但對未來展望轉(zhuǎn)趨保守。
臺積電（TSMC）第三季合并營收約331億美元，創(chuàng)下歷史新高。營收年增率高達(dá)40.8％，主要受惠于高效能運(yùn)算（HPC）和智能手機(jī)兩大平臺強(qiáng)勁需求。在制程技術(shù)方面，7納米及更先進(jìn)技術(shù)占總晶圓營收74％，其中3納米和5納米制程分別貢獻(xiàn)23％和37％。臺積電預(yù)期第四季營收將介于322億至334億美元，毛利率維持59％至61％高位。
三星電子（Samsung）第三季合并營收達(dá)86.1萬億韓元，半導(dǎo)體事業(yè)部營收為33.1萬億韓元，營業(yè)利潤從去年低點(diǎn)飆升至12.2萬億韓元，相比2024年同期11.25萬億韓元大增32.5%。三星管理層特別指出晶圓代工業(yè)務(wù)受惠先進(jìn)節(jié)點(diǎn)客戶訂單創(chuàng)歷史新高，并開始大規(guī)模生產(chǎn)GAA 2納米制程。這項(xiàng)技術(shù)突破被視為提升獲利能力的重要關(guān)鍵，晶圓代工業(yè)務(wù)強(qiáng)勁表現(xiàn)成為推動(dòng)整體半導(dǎo)體事業(yè)部利潤率回升的重要引擎。
英特爾（Intel）第三季總營收達(dá)137億美元，年增3％。執(zhí)行長陳立武（Lip-Bu Tan）在財(cái)報(bào)會(huì)議中強(qiáng)調(diào)，AI加速對運(yùn)算能力需求，為核心x86平臺、ASIC業(yè)務(wù)和Intel Foundry服務(wù)帶來機(jī)會(huì)。根據(jù)英特爾第三季財(cái)報(bào)，公司本季完成出售Altera多數(shù)股權(quán)、獲得美國政府57億美元加速撥款，以及來自輝達(dá)（NVIDIA）和軟銀集團(tuán)（SoftBank Group）的股權(quán)投資，這些行動(dòng)將強(qiáng)化資產(chǎn)負(fù)債表，專注Intel Foundry長期發(fā)展。
中芯國際（SMIC）第三季營收達(dá)23.818億美元，年增9.7％，創(chuàng)下歷史次高。主要?dú)w功于晶圓出貨量增加和產(chǎn)品組合優(yōu)化，毛利率提升至22.0％，產(chǎn)能利用率回升至95.8％。消費(fèi)性電子產(chǎn)品貢獻(xiàn)晶圓收入43.4％為最大宗應(yīng)用。然而，管理層對第四季展望轉(zhuǎn)趨保守預(yù)計(jì)營收僅持平或微幅增長2％，毛利率將降至18％至20％。
3 ) 臺積電AI營收將達(dá)1萬億新臺幣，訂單能見度直達(dá)2028年
11月17日消息，據(jù)臺媒《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道，晶圓代工龍頭大廠臺積電受益于英偉達(dá)、AMD、博通等大客戶的訂單涌入，今年AI相關(guān)營收將呈倍數(shù)增長，挑戰(zhàn)萬億新臺幣大關(guān)，并且明年也將持續(xù)看漲，有望連續(xù)三年改寫歷史新高，助力臺積電2026年美元營收持續(xù)超越千億美元大關(guān)，訂單能見度直達(dá)2028年。
報(bào)道稱，臺積電在2024年AI需求起飛期，當(dāng)年度AI相關(guān)營收首度突破百億美元，立下營運(yùn)新里程碑。今年在大客戶英偉達(dá)的領(lǐng)軍下，伴隨AMD、博通，以及其他ASIC客戶大單持續(xù)報(bào)到，推升臺積電先進(jìn)制程產(chǎn)能滿載，AI相關(guān)營收有望達(dá)280億美元至330億美元，較去年呈現(xiàn)倍數(shù)成長，新臺幣營收將突破1萬億元，再創(chuàng)歷史新高，整體泛AI相關(guān)營收（包含AI交換器與網(wǎng)絡(luò)連接相關(guān)ASIC、AI電腦邊緣設(shè)備等）預(yù)計(jì)有望占全年?duì)I收約23%至28%，超越公司預(yù)估。
在上述基礎(chǔ)上，臺積電客戶群AI新創(chuàng)應(yīng)用持續(xù)遍地開花，讓臺積電訂單滿手，估計(jì)2026年AI相關(guān)營收可望突破400億美元，達(dá)約新臺幣1.24萬億元，繼續(xù)創(chuàng)下歷史新高。
4 ）三星重返第一3Q25 DRAM NAND Flash營收市占排名出爐
隨著人工智能由訓(xùn)練向推理的轉(zhuǎn)變，以及AI-Agent得到更為廣泛的應(yīng)用，全球范圍內(nèi)AI數(shù)據(jù)中心建設(shè)加速并相繼落地，大型CSP均超預(yù)期地加大并持續(xù)推進(jìn)AI相關(guān)投資，驅(qū)動(dòng)服務(wù)器應(yīng)用中DRAM和NAND需求保持強(qiáng)勁態(tài)勢。
而Mobile和PC等消費(fèi)應(yīng)用領(lǐng)域，因受到產(chǎn)能優(yōu)先滿足于AI服務(wù)器需求的影響，對DRAM與NAND供應(yīng)短缺的擔(dān)憂日益加劇，其市場價(jià)格已經(jīng)發(fā)生上漲。
據(jù)CFM閃存市場數(shù)據(jù)顯示，2025年三季度全球DRAM市場規(guī)模環(huán)比增長24.7%至400.37億美元，NAND市場規(guī)模環(huán)比增長16.8%至184.22億美元，三季度全球存儲市場規(guī)模連續(xù)兩季度成長至584.59億美元，創(chuàng)造季度歷史新高。
3Q25全球DRAM市場規(guī)模400.37億美元，環(huán)比增長24.7%，同比增長54%。
3Q25全球NAND市場規(guī)模184.22億美元，環(huán)比增長16.8%，同比減少3.1%
據(jù)CFM閃存市場數(shù)據(jù)顯示，經(jīng)過連續(xù)兩個(gè)季度增長，三季度全球NAND市場規(guī)模達(dá)184.22億美元。盡管三季度整體NAND Flash bit出貨量保持增長，但受庫存快速下降以及制造工藝向先進(jìn)制程的遷移，令部分供應(yīng)商在四季度的供應(yīng)產(chǎn)出受限。
5 ）2025 to 2034汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模增長預(yù)測
GMI預(yù)計(jì)到 2024 年，全球汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模為 743 億美元，銷量為 23.295 億臺。預(yù)計(jì)市場規(guī)模將從 2025 年的 797 億美元增長到 2030 年的 1168 億美元，到 2034 年將達(dá)到 1647 億美元，銷量為 50.241 億臺，在 2025-2034 年的預(yù)測期內(nèi)以 8.4% 的復(fù)合年增長率和 8.1% 的銷量復(fù)合年增長率增長。
汽車半導(dǎo)體市場的增長受到電氣化和動(dòng)力總成發(fā)展、對先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS） 和自動(dòng)駕駛、信息娛樂和車載網(wǎng)絡(luò)、連接和 V2X 通信以及監(jiān)管壓力和排放標(biāo)準(zhǔn)的日益重視的推動(dòng)。
汽車半導(dǎo)體行業(yè)將經(jīng)歷顯著擴(kuò)張，特別是由于向電動(dòng)汽車的快速轉(zhuǎn)變。內(nèi)燃機(jī)汽車正逐漸被電動(dòng)汽車 （EV） 取代，這增加了對先進(jìn)功率半導(dǎo)體以及用于能量控制和轉(zhuǎn)換的電池管理系統(tǒng) （BMS） 和逆變器的需求。英國規(guī)定，到 2030 年，80% 的新車和 70% 的新貨車必須實(shí)現(xiàn)零排放，到 2035 年，這一數(shù)字將增加到 100% 零排放。
6 ）此波存儲器價(jià)格上漲的分析
1. AI算力需求激增，HBM成“主戰(zhàn)場”
AI大模型訓(xùn)練和推理對高帶寬內(nèi)存（HBM）的需求呈指數(shù)級增長。HBM產(chǎn)能消耗是標(biāo)準(zhǔn)DRAM的3倍以上，而原廠優(yōu)先將晶圓產(chǎn)能轉(zhuǎn)向利潤更高的HBM和DDR5，直接擠壓了DDR4、LPDDR4X等成熟制程的供應(yīng)，導(dǎo)致“計(jì)劃性犧牲”傳統(tǒng)消費(fèi)級產(chǎn)品。
2. 原廠控產(chǎn)保價(jià)，暫停報(bào)價(jià)加劇恐慌
三星、SK海力士、美光等巨頭自2024年起持續(xù)減產(chǎn)DDR4，并集中資源擴(kuò)產(chǎn)HBM。2025年Q4起，部分DRAM和NAND產(chǎn)品已停止報(bào)價(jià)或“一天一價(jià)”，下游廠商恐慌性囤貨，進(jìn)一步放大缺口。
3. AI服務(wù)器消耗量飆升，需求占比超40%
單臺AI服務(wù)器的DRAM用量是傳統(tǒng)服務(wù)器的8倍、NAND用量是3倍。2025年AI需求已占存儲總需求的40%，且仍在快速提升，徹底打破原有供需平衡。
4. 資本開支傾斜，產(chǎn)能轉(zhuǎn)移不可逆
2025年全球科技巨頭AI基礎(chǔ)設(shè)施投入達(dá)4000億美元，上游原廠將70%以上新增產(chǎn)能投向HBM/DDR5，預(yù)計(jì)2026年底HBM將占用25%的DRAM總產(chǎn)能，傳統(tǒng)內(nèi)存短缺至少持續(xù)到2026年Q4。
5. 漲價(jià)傳導(dǎo)至終端，消費(fèi)電子跟漲
DDR4現(xiàn)貨價(jià)2025年10月單周暴漲30%，NAND閃存合約價(jià)Q4上調(diào)50%。小米雷軍公開感嘆“內(nèi)存漲太多”，紅米K90、OPPO Find X9等新機(jī)被迫提價(jià)100-400元，顯示漲價(jià)已全面?zhèn)鲗?dǎo)至消費(fèi)端。一
綜上，AI引發(fā)的“吞噬式需求”疊加原廠產(chǎn)能結(jié)構(gòu)性轉(zhuǎn)移，是本輪存儲器“超級周期”與以往最大的不同，且短缺態(tài)勢大概率延續(xù)至2026年。
7 ) 中國AI的崛起，開放、效率與數(shù)據(jù)飛輪的三重奏
近日，Gartner數(shù)據(jù)分析與人工智能團(tuán)隊(duì)的費(fèi)天褀在接受了包括DOIT在內(nèi)的多家媒體采訪，系統(tǒng)性地剖析了中國AI產(chǎn)業(yè)的獨(dú)特發(fā)展路徑與核心競爭力。他將中國AI的成功歸納為三大支柱：開放創(chuàng)新（Open Innovation）、資源效率（Resourceful Efficiency）以及數(shù)據(jù)飛輪（Data Flywheel）。這不僅是技術(shù)層面的優(yōu)勢，更是一種融合了市場、政策與生態(tài)的綜合性戰(zhàn)略。
在全球知名的LLM Arena排行榜上，前十大模型中的所有開源模型均來自中國團(tuán)隊(duì)。費(fèi)天褀引用了一份美國《科學(xué)人》雜志的調(diào)研，極具說服力地指出：“目前美國有80%的AI創(chuàng)新企業(yè)都在使用中國的開源模型，因?yàn)槠湫詢r(jià)比最高?！?這一數(shù)據(jù)印證了中國在全球開源生成式AI生態(tài)中的毋庸置疑的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
從追趕者到全球領(lǐng)導(dǎo)者 費(fèi)天褀指出，中國AI的一個(gè)關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn)，是在開源大模型領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了對全球的超越。“從2024年中到2025年初，一系列出色的中國開源模型，在準(zhǔn)確度、性能等關(guān)鍵指標(biāo)上，與閉源模型的差距迅速縮小，甚至在部分場景下實(shí)現(xiàn)了反超。” 這種追趕并非偶然。開源模式為中國企業(yè)提供了獨(dú)特的價(jià)值： 極致的定制化：企業(yè)可以完全下載模型，根據(jù)自身業(yè)務(wù)進(jìn)行深度微調(diào)，打造最契合的應(yīng)用。
構(gòu)建無法復(fù)制的核心壁壘 在模型能力趨同、成本日益透明的未來，費(fèi)天褀認(rèn)為，數(shù)據(jù)將成為企業(yè)最獨(dú)特的戰(zhàn)略資產(chǎn)?！澳Ｐ痛蠹叶伎梢垣@取，但你的數(shù)據(jù)是獨(dú)有的。誰能構(gòu)建起高效的數(shù)據(jù)飛輪，誰就能在AI競爭中建立長久的壁壘?！?數(shù)據(jù)飛輪的運(yùn)作邏輯清晰而強(qiáng)大：一個(gè)基礎(chǔ)良好的模型催生應(yīng)用，應(yīng)用吸引用戶產(chǎn)生交互，交互反饋生成海量數(shù)據(jù)，這些數(shù)據(jù)再反過來優(yōu)化模型，從而驅(qū)動(dòng)更好的應(yīng)用，形成正向循環(huán)重新定義AI的投資回報(bào) 如果說開源是基礎(chǔ)，那么效率就是中國AI實(shí)現(xiàn)商業(yè)價(jià)值的關(guān)鍵。費(fèi)天褀觀察到一個(gè)行業(yè)心態(tài)的轉(zhuǎn)變：“前兩年大家信奉‘規(guī)模效應(yīng)’，認(rèn)為算力堆砌得足夠多，就能得到更智能的模型。但DeepSeek的出現(xiàn)證明了另一條路的可行性——通過卓越的工程化和優(yōu)化，在有限的算力上也能輸出頂尖結(jié)果?！?這種對效率的極致追求，直接體現(xiàn)在成本控制上： API成本優(yōu)勢：中國模型的API調(diào)用價(jià)格普遍低于國際主流閉源模型，對于Token消耗巨大的業(yè)務(wù)場景，能顯著降低成本。
“一體機(jī)”模式：為了降低部署門檻，中國市場出現(xiàn)了將硬件、軟件、模型和集成服務(wù)打包的“AI一體機(jī)”。這為缺乏AI人才儲備的傳統(tǒng)企業(yè)提供了一條快速、可衡量ROI（投資回報(bào)率）的落地路徑。 費(fèi)天褀強(qiáng)調(diào)：“對于大多數(shù)傳統(tǒng)企業(yè)而言，他們的目標(biāo)是優(yōu)化現(xiàn)有流程，而非進(jìn)行前沿科研。因此，如何用更低的成本，實(shí)現(xiàn)可見的業(yè)務(wù)提升，即效率，才是他們最關(guān)心的。”
8 ) 意法半導(dǎo)體發(fā)布全球首款18納米MCU已應(yīng)用于星鏈系統(tǒng)
11月19日，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）正式發(fā)布全球首款采用18納米工藝節(jié)點(diǎn)的微控制器——STM32V8。這款新型微控制器能為高端嵌入式開發(fā)人員提供獲取更高性能、更高安全性和更大內(nèi)存的途徑。
長期以來，主流MCU多采用成熟制程，以兼顧成本、功耗與可靠性。然而，隨著邊緣計(jì)算、工業(yè)4.0和智能終端對實(shí)時(shí)處理能力的需求激增，傳統(tǒng)MCU已難以滿足高算力、低延遲的應(yīng)用場景。STM32V8的誕生，正是對這一瓶頸的強(qiáng)力突破。
該芯片采用18納米全耗盡型絕緣體上硅（FD-SOI）工藝，成為全球首款進(jìn)入“20納米以下”的MCU。意法半導(dǎo)體聲稱，這是業(yè)內(nèi)首款采用如此低工藝節(jié)點(diǎn)的微控制器。
這款芯片搭載了Arm旗下的Cortex - M85處理器，其運(yùn)行頻率峰值可達(dá)800MHz，并且集成了Helium M - Profile矢量擴(kuò)展（MVE）技術(shù)。該技術(shù)的融入，使得芯片在處理設(shè)備端機(jī)器學(xué)習(xí)和人工智能工作負(fù)載時(shí)能夠顯著加速。
意法半導(dǎo)體通用及汽車MCU事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理Patrick Aidoune介紹，憑借Arm Cortex-M85內(nèi)核的升級，STM32V8在實(shí)時(shí)控制應(yīng)用的標(biāo)量運(yùn)算性能上就提升了20%；在依賴DSP功能的應(yīng)用中，性能增幅高達(dá)300%至400%。
Patrick Aidoune表示，采用18納米SOI工藝可以實(shí)現(xiàn)800MHz的時(shí)鐘頻率和更大的非易失性存儲器（NVM）容量。而相變型NVM基于全耗盡絕緣體上硅（FD-SOI）技術(shù)。與前幾代NVM相比，基于FD-SOI的相變型存儲器（PCM）可以實(shí)現(xiàn)更小的單元結(jié)構(gòu)。
意法半導(dǎo)體微控制器、數(shù)字集成電路和射頻產(chǎn)品事業(yè)部總裁雷米·埃爾-瓦扎內(nèi)（Remi El-Ouazzane）還強(qiáng)調(diào)：“STM32V8 是我們迄今為止速度最快的 STM32 微控制器，專為在嚴(yán)苛的工作環(huán)境下實(shí)現(xiàn)高可靠性而設(shè)計(jì)，能夠替代體積更大、功耗更高的應(yīng)用處理器。STM32V8 代表了高性能微控制器單元 (MCU) 的未來發(fā)展方向，能夠滿足工業(yè)控制、傳感器融合、圖像處理、語音控制等高要求嵌入式和邊緣人工智能應(yīng)用的需求?！?/span>
據(jù)悉，衛(wèi)星通信集群服務(wù)提供商星鏈（Starlink）的星鏈迷你激光系統(tǒng)就采用了意法半導(dǎo)體（ST）的STM32V8微控制器。
9 ）魏少軍教授：如何才能從根本上解決芯片設(shè)計(jì)業(yè)中的老問題
主流產(chǎn)品集中在中低端、創(chuàng)新能力弱、企業(yè)小而散、高端通用芯片突破緩慢——本質(zhì)上并非技術(shù)單點(diǎn)瓶頸，而是“生態(tài)系統(tǒng)”缺失：先進(jìn)制程、EDA、IP、人才、標(biāo)準(zhǔn)、市場、資本、政策之間沒有形成正向閉環(huán)。要“從根本上”緩解高端IC芯片供給矛盾，必須把“單點(diǎn)補(bǔ)短板”升級為“系統(tǒng)造生態(tài)”，用“四條鏈”同步重構(gòu)：
1. 制造-設(shè)計(jì)協(xié)同鏈：不再讓設(shè)計(jì)企業(yè)“等產(chǎn)能”
① 以“鏈主制”在長三角、成渝、大灣區(qū)各打造1條“28 nm及以下適配線”，由中芯/華虹等開放25%產(chǎn)能做“公共服務(wù)”，對本土設(shè)計(jì)企業(yè)實(shí)行PPA(功率-性能-面積)達(dá)標(biāo)即流片，政府按每片晶圓給予30%流片補(bǔ)貼，三年內(nèi)把高端芯片首次流片平均成本從1200萬美元降到400萬美元以下。
② 鼓勵(lì)Fabless與制造企業(yè)共建“工藝-設(shè)計(jì)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”，把PDK(工藝設(shè)計(jì)套件)迭代周期由12個(gè)月縮短到6個(gè)月，解決“設(shè)計(jì)出去卻回不來”的痛點(diǎn) 。
2. EDA/IP安全鏈：把工具依賴變成“部分可控”一
① 國家牽頭設(shè)立“開源EDA基金”，三年內(nèi)每年投入20億元，把仿真、綜合、物理實(shí)現(xiàn)三大環(huán)節(jié)做成可插拔的開源底座，強(qiáng)制要求任何享受大基金二期流片補(bǔ)貼的企業(yè)必須先用國產(chǎn)或開源EDA完成30%以上模塊設(shè)計(jì)，形成“商業(yè)+開源”雙軌工具鏈 。
② 建立“IP共性池”，對RISC-V、PCIe、DDR、SerDes等高端接口IP實(shí)行“一次開發(fā)、全國授權(quán)”，使用費(fèi)不高于ARM的1/3，降低中小企業(yè)高端芯片設(shè)計(jì)門檻 。
3. 人才-資本循環(huán)鏈：把“缺口”變成“流量”
① 仿照“師范生公費(fèi)”模式，推出“芯片英才計(jì)劃”：高校每年定向培養(yǎng)3000名7 nm以下設(shè)計(jì)/工藝博士，學(xué)費(fèi)全免+年薪30萬元起，畢業(yè)須進(jìn)入國產(chǎn)供應(yīng)鏈企業(yè)工作五年；違約按3倍培養(yǎng)成本賠償，用“契約”替代“口號”解決人才流失 。
② 設(shè)立“高端芯片風(fēng)險(xiǎn)補(bǔ)償金”，政府與投資機(jī)構(gòu)1∶1配資，對首輪流片失敗項(xiàng)目給予最高2000萬元風(fēng)險(xiǎn)補(bǔ)貼，降低資本對高端芯片“一次流片即血虧”的恐懼，撬動(dòng)社會(huì)資本進(jìn)入5-7 nm等深水區(qū) 。
4. 市場-標(biāo)準(zhǔn)加速鏈：讓“高端”先在國內(nèi)市場“跑起來”
① 在信創(chuàng)、車規(guī)、電力、軌交等“安全可控”領(lǐng)域發(fā)布“國產(chǎn)高端芯片白名單”，只要性能達(dá)到國外競品70%且功耗不高于120%，即強(qiáng)制給予30%份額保護(hù)期三年，為高端芯片提供“第一輪訂單”和持續(xù)迭代場景 。
② 建立“Chiplet互連國標(biāo)”，統(tǒng)一PHY、接口、封裝、測試規(guī)范，讓不同廠商的芯?？梢浴皹犯呤健逼囱b，把12 nm小芯片通過先進(jìn)封裝拼出7 nm級性能，降低對EUV的依賴，緩解“制程焦慮” 。
當(dāng)“流片不再難、工具不再貴、人才不再缺、市場不再遠(yuǎn)”四個(gè)條件同時(shí)滿足，高端IC芯片就會(huì)從“項(xiàng)目”變成“生意”，企業(yè)才敢把研發(fā)重心從“活下去”轉(zhuǎn)向“跑在前”。只有把“單點(diǎn)突破”升級為“生態(tài)閉環(huán)”，魏少軍指出的那些“老問題”才會(huì)真正失去生存的土壤。
10 ）瑞銀調(diào)研14家中國半導(dǎo)體公司，晶圓制造設(shè)備商們最樂觀
就在本月，瑞銀團(tuán)隊(duì)完成了一次對中國半導(dǎo)體行業(yè)的四季度專項(xiàng)調(diào)研。
通過走訪涵蓋晶圓制造設(shè)備、成熟制程晶圓代工廠、IC設(shè)計(jì)、測試服務(wù)、面板等全產(chǎn)業(yè)鏈的14家核心企業(yè)，瑞銀判斷，2026年行業(yè)需求將呈現(xiàn)顯著分化。
其中，半導(dǎo)體設(shè)備、AI基礎(chǔ)設(shè)施、自動(dòng)駕駛等領(lǐng)域增長確定性強(qiáng)，而智能手機(jī)相關(guān)環(huán)節(jié)面臨短期壓力，國產(chǎn)化替代與技術(shù)突破仍是貫穿全行業(yè)的核心主線。
核心調(diào)研結(jié)論：四大關(guān)鍵洞察
晶圓制造設(shè)備需求樂觀：全供應(yīng)鏈對2026年中國晶圓制造設(shè)備需求持積極預(yù)期，國內(nèi)存儲芯片客戶有望很快下達(dá)正式訂單。
半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)鏈：2026年增長勢頭確定性強(qiáng)
瑞銀在本次調(diào)研中發(fā)現(xiàn)，半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)鏈企業(yè)普遍展現(xiàn)出強(qiáng)勁信心，核心增長邏輯與企業(yè)進(jìn)展清晰可見。
行業(yè)整體需求：8%-10%同比增長可期
所有受訪WFE供應(yīng)鏈企業(yè)均看好2026年需求前景，部分企業(yè)預(yù)計(jì)同比增長8%-10%（瑞銀預(yù)測為5%）。
增長核心驅(qū)動(dòng)力來自兩方面：
一是長江存儲、長鑫存儲的產(chǎn)能擴(kuò)張，調(diào)研顯示這兩家企業(yè)可能很快向國內(nèi)供應(yīng)商下達(dá)正式訂單。
二是先進(jìn)邏輯芯片領(lǐng)域的設(shè)備需求補(bǔ)充，而成熟制程邏輯芯片擴(kuò)張將逐步回歸正常節(jié)奏。
長期來看，公司預(yù)計(jì)2030年中國WFE市場規(guī)模將達(dá)4000億元人民幣（約550億美元），國產(chǎn)化率將提升至50%。
華海清科：正將產(chǎn)品組合從CMP設(shè)備拓展至研磨、拋光、離子注入機(jī)、晶圓檢測等領(lǐng)域，同時(shí)從前端工藝延伸至后端先進(jìn)封裝。
北方華創(chuàng)：對業(yè)績超越行業(yè)平均水平充滿信心，高深寬比電容耦合等離子體（CCP）刻蝕設(shè)備研發(fā)進(jìn)展樂觀，目標(biāo)在金屬沉積領(lǐng)域全面替代應(yīng)用材料公司（AMAT）。
長期來看，公司預(yù)計(jì)2030年中國WFE市場規(guī)模將達(dá)4000億元人民幣（約550億美元），國產(chǎn)化率將提升至50%。
華海清科：正將產(chǎn)品組合從CMP設(shè)備拓展至研磨、拋光、離子注入機(jī)、晶圓檢測等領(lǐng)域，同時(shí)從前端工藝延伸至后端先進(jìn)封裝。
京儀裝備：核心產(chǎn)品冷卻機(jī)和洗滌器在國內(nèi)頭部晶圓廠的市占率達(dá)90%-100%，與刻蝕設(shè)備協(xié)同實(shí)現(xiàn)溫度平衡與污染控制。
當(dāng)前超低溫（-40℃/-60℃及以下）冷卻機(jī)需求持續(xù)上升，側(cè)面印證國內(nèi)供應(yīng)商在高深寬比CCP刻蝕技術(shù)上的突破。
富創(chuàng)精密：2025年三季度初始訂單快速增長，成為存儲芯片客戶正式訂單落地的早期信號（通常初始訂單3-6個(gè)月交付OEM，再經(jīng)3-6個(gè)月認(rèn)證轉(zhuǎn)化為批量業(yè)務(wù)）。
公司設(shè)定2030年目標(biāo)：營收200億元人民幣，凈利潤率20%，將通過南通、北京、新加坡工廠擴(kuò)產(chǎn)（單廠設(shè)計(jì)產(chǎn)能20億元）及拓展海外客戶實(shí)現(xiàn)增長。
受訪晶圓代工廠呈現(xiàn)“成熟制程穩(wěn)、先進(jìn)制程擴(kuò)”的格局，同時(shí)面臨部分應(yīng)用需求波動(dòng)：
長鑫存儲：2025年四季度產(chǎn)能利用率維持高位，2026年一季度受季節(jié)性影響略有下降。受存儲成本上漲影響，智能手機(jī)相關(guān)的CIS、DDIC領(lǐng)域面臨需求與定價(jià)壓力。
2026年底將新增20-30kwpm 28nm邏輯產(chǎn)能（資本支出100-150億元），2027年上半年量產(chǎn)，主要供應(yīng)DRAM的CMOS鍵合陣列邏輯層。
兩條12英寸產(chǎn)線建設(shè)中：65nm制程線（40kwpm，投資75億元）一期爬坡中，二期推遲至2026年中期；28nm制程線（50kwpm，投資330億元）由京東方參股，廠房主體年內(nèi)完工。
地平線：高端自動(dòng)駕駛解決方案（HSD）已被奇瑞星途ET5等多家OEM標(biāo)配，L2+級自動(dòng)駕駛（含城市NOA）已滲透至15萬元以下車型。
機(jī)器人業(yè)務(wù)方面，第一代SoC主導(dǎo)國內(nèi)掃地機(jī)器人與歐洲割草機(jī)市場，第二代應(yīng)用于360攝像頭、機(jī)器狗，第三代瞄準(zhǔn)人形機(jī)器人（尚處早期）
麥捷科技：信號鏈（占比70%，核心為光學(xué)傳感器）與無線充電為核心業(yè)務(wù)。dTOF傳感器將替代紅外傳感器，2026年在掃地機(jī)器人、智能手機(jī)屏下應(yīng)用中放量。
已從中國臺灣晶圓廠轉(zhuǎn)向國內(nèi)產(chǎn)能，制程從8英寸0.18um升級至12英寸55nm，獲得顯著成本優(yōu)勢。
后端測試成為AI產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵受益環(huán)節(jié)，頭部企業(yè)訂單與技術(shù)突破雙豐收：
華峰測控：2025年前9-10個(gè)月訂單增長強(qiáng)勁，受OSAT、模擬/功率器件及AI電源基礎(chǔ)設(shè)施需求驅(qū)動(dòng)。高端SoC測試設(shè)備STS8600進(jìn)展順利，即將向AI客戶送樣現(xiàn)場認(rèn)證，將直接受益于國內(nèi)AI基礎(chǔ)設(shè)施的功率管理需求。
維信諾測試：在ADAS SoC、GPU、AI加速器等算力相關(guān)測試領(lǐng)域占據(jù)核心地位，是絕大多數(shù)相關(guān)供應(yīng)商的首選測試服務(wù)商。2026年增長勢頭將持續(xù)，產(chǎn)能擴(kuò)張意愿強(qiáng)烈：已投入15億元設(shè)備資本支出，2026年計(jì)劃再投資10億元；當(dāng)前V93000仍是高端主流測試設(shè)備，國內(nèi)測試設(shè)備正逐步起量。
光模塊：800G放量 1.6T啟動(dòng)
華工科技：預(yù)計(jì)2025年國內(nèi)光模塊出貨量1500-1600萬件（2024年600-700萬件），2026年增至2000萬件。
800G產(chǎn)品占比將從10%-15%升至40%，2026年1.6T小批量出貨，硅光子解決方案滲透率提升。
超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心客戶需求增長快于運(yùn)營商，多模光模塊因短距離傳輸需求更具優(yōu)勢；公司自主研發(fā)SiPh IC與EML芯片，完善供應(yīng)鏈布局。
莫大康：浙江大學(xué)校友，求是緣半導(dǎo)體聯(lián)盟顧問。親歷50年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程的著名學(xué)者、行業(yè)評論家。