1 ) 華為未來的危機(jī)淺析
可以將華為的未來危機(jī)歸納為以下三大層面:
一、 外部環(huán)境危機(jī):地緣政治的“灰犀?!?/span>
這是華為面臨的最直接、最嚴(yán)峻的挑戰(zhàn),具有長期性和不可控性。
1. 持續(xù)且可能升級的制裁與封鎖:
· 技術(shù)斷供:美國制裁切斷了華為從高端芯片設(shè)計(EDA軟件)到制造(臺積電代工)的路徑。盡管有庫存和國產(chǎn)替代,但在先進(jìn)制程(7nm及以下) 上仍被“卡脖子”,這直接制約了其5G基站和旗艦手機(jī)業(yè)務(wù)的競爭力。
· 市場排斥:以美國為首的“五眼聯(lián)盟”及其他部分國家,以國家安全為由將華為排除在其核心網(wǎng)絡(luò)建設(shè)之外。這種“政治正確”可能會蔓延到更多地區(qū)和領(lǐng)域,嚴(yán)重壓縮其全球市場份額。
· “長臂管轄”風(fēng)險:只要全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈仍由美國技術(shù)主導(dǎo),華為的任何供應(yīng)商都可能面臨美國的壓力,使其供應(yīng)鏈?zhǔn)冀K處于不穩(wěn)定狀態(tài)。
2. 全球科技陣營分化加速:
· 世界可能逐漸形成以中美為首的兩套技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)體系(如5G/6G、芯片、操作系統(tǒng)等)。華為若無法主導(dǎo)或深度融入新的體系,將面臨被孤立在主流市場之外的風(fēng)險。
二、 技術(shù)與供應(yīng)鏈危機(jī):生死攸關(guān)的“咽喉”問題
外部壓力直接轉(zhuǎn)化為內(nèi)部的技術(shù)生存危機(jī)。
1. 高端芯片的自主可控遙遙無期:
· 中國大陸的半導(dǎo)體制造技術(shù)(如中芯國際)與臺積電、三星等領(lǐng)先企業(yè)有代際差距。制造一顆高端手機(jī)SoC或服務(wù)器芯片涉及設(shè)計、材料、設(shè)備(如光刻機(jī))等全產(chǎn)業(yè)鏈,絕非華為或中國一家公司短期內(nèi)能獨(dú)立突破的。
· 庫存消耗:華為依靠制裁前囤積的高端芯片維持了部分業(yè)務(wù),但庫存是有限的。消耗殆盡后,若國產(chǎn)替代無法跟上,其產(chǎn)品競爭力將面臨斷崖式下跌的風(fēng)險。
2. 軟件與生態(tài)系統(tǒng)的構(gòu)建挑戰(zhàn):
· 鴻蒙生態(tài)的生死考驗:華為用鴻蒙替代安卓,最大的挑戰(zhàn)不是技術(shù)本身,而是生態(tài)。能否吸引到足夠多的全球開發(fā)者,開發(fā)出海量的、高質(zhì)量的應(yīng)用,是決定鴻蒙能否生存下去的關(guān)鍵。目前,海外市場因無法使用GMS(谷歌移動服務(wù))而嚴(yán)重萎縮,鴻蒙主要依賴國內(nèi)市場,這使其成為一個“偏安一隅”的生態(tài)系統(tǒng),難以與安卓、iOS在全球?qū)用娓偁帯?/span>
3. 供應(yīng)鏈重構(gòu)的成本與效率壓力:
· 打造一條“去美國化”或全國產(chǎn)的供應(yīng)鏈,意味著更高的成本、可能更低的良率和更長的交付周期。這將在全球市場競爭中削弱華為的成本優(yōu)勢和響應(yīng)速度。
三、 業(yè)務(wù)與財務(wù)危機(jī):增長引擎的熄火與轉(zhuǎn)換
上述危機(jī)最終會反映在公司的業(yè)務(wù)和財務(wù)表現(xiàn)上。
1. 消費(fèi)者業(yè)務(wù)的萎縮與高端市場的丟失:
· 曾經(jīng)與蘋果、三星鼎立的手機(jī)業(yè)務(wù),因芯片問題導(dǎo)致市場份額大幅下滑。即使推出支持5G的芯片版手機(jī),其規(guī)模和先進(jìn)制程仍受限制。消費(fèi)者業(yè)務(wù)是華為重要的“現(xiàn)金?!?,此業(yè)務(wù)的萎縮直接沖擊其利潤和研發(fā)投入能力。
2. 新興業(yè)務(wù)的不確定性:
· 智能汽車解決方案:這是一個投入巨大、周期長、競爭極其激烈的賽道。華為堅持“不造車”,作為供應(yīng)商與車企合作,但這種模式面臨主機(jī)廠的警惕(擔(dān)心靈魂被華為掌握),商業(yè)變現(xiàn)路徑長,且面臨博世等傳統(tǒng)巨頭和新興科技公司的雙重競爭。
· 云計算:國內(nèi)云計算市場已是“紅?!?,阿里云、騰訊云等對手強(qiáng)大。華為云雖增長迅速,但面臨激烈價格戰(zhàn),盈利壓力巨大。
3. 人才流失與“奮斗者文化”的挑戰(zhàn):
· 長期的高壓和不確定的外部環(huán)境,可能影響內(nèi)部士氣,導(dǎo)致核心人才流失。同時,年輕的“00后”員工對“狼性文化”的接受度可能不如前輩,如何激勵新一代員工持續(xù)奮斗,是華為管理上面臨的新課題。
4. 財務(wù)壓力:
· 一方面,營收增長受限(消費(fèi)者業(yè)務(wù)受挫);另一方面,研發(fā)投入(芯片、鴻蒙、自動駕駛等)和供應(yīng)鏈重構(gòu)成本急劇增加。這一減一增,將嚴(yán)重考驗華為的現(xiàn)金流和財務(wù)狀況。
總結(jié)與展望
華為正處在其歷史上最困難的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型期。它的危機(jī)本質(zhì)上是 “全球化公司”與“地緣政治撕裂”之間的矛盾的集中體現(xiàn)。
其未來的出路在于:
· 短期:依靠管理能力和技術(shù)儲備,“活下去”,維持核心電信業(yè)務(wù)的穩(wěn)定,并用各種方式延長消費(fèi)者業(yè)務(wù)的生命周期。
· 中期:不惜一切代價構(gòu)建自主或可控的供應(yīng)鏈,并全力扶持鴻蒙生態(tài),守住國內(nèi)大本營。
· 長期:在新的技術(shù)浪潮(如AI、云計算、智能汽車) 中開辟新賽道,爭取成為規(guī)則的制定者,而非追隨者。
華為的未來,不僅是一家企業(yè)的生存問題,更已成為觀察中國高科技產(chǎn)業(yè)在逆全球化浪潮中能否突破重圍的一個關(guān)鍵風(fēng)向標(biāo)。
2 ) 2025年第三季晶圓代工市場:臺積電先進(jìn)制程獨(dú)霸,三星利潤暴增
全球晶圓代工市場2025年第三季競爭白熱化,四大業(yè)者表現(xiàn)各異,展現(xiàn)不同發(fā)展策略。臺積電憑借先進(jìn)制程技術(shù)優(yōu)勢持續(xù)鞏固龍頭地位;三星電子受惠GAA 2納米制程量產(chǎn)推動獲利大幅改善;英特爾積極轉(zhuǎn)型Intel Foundry戰(zhàn)略布局AI供應(yīng)鏈,獲得政府資金挹注;中芯國際雖然營收創(chuàng)下新高但對未來展望轉(zhuǎn)趨保守。
臺積電(TSMC)第三季合并營收約331億美元,創(chuàng)下歷史新高。營收年增率高達(dá)40.8%,主要受惠于高效能運(yùn)算(HPC)和智能手機(jī)兩大平臺強(qiáng)勁需求。在制程技術(shù)方面,7納米及更先進(jìn)技術(shù)占總晶圓營收74%,其中3納米和5納米制程分別貢獻(xiàn)23%和37%。臺積電預(yù)期第四季營收將介于322億至334億美元,毛利率維持59%至61%高位。
三星電子(Samsung)第三季合并營收達(dá)86.1萬億韓元,半導(dǎo)體事業(yè)部營收為33.1萬億韓元,營業(yè)利潤從去年低點(diǎn)飆升至12.2萬億韓元,相比2024年同期11.25萬億韓元大增32.5%。三星管理層特別指出晶圓代工業(yè)務(wù)受惠先進(jìn)節(jié)點(diǎn)客戶訂單創(chuàng)歷史新高,并開始大規(guī)模生產(chǎn)GAA 2納米制程。這項技術(shù)突破被視為提升獲利能力的重要關(guān)鍵,晶圓代工業(yè)務(wù)強(qiáng)勁表現(xiàn)成為推動整體半導(dǎo)體事業(yè)部利潤率回升的重要引擎。
英特爾(Intel)第三季總營收達(dá)137億美元,年增3%。執(zhí)行長陳立武(Lip-Bu Tan)在財報會議中強(qiáng)調(diào),AI加速對運(yùn)算能力需求,為核心x86平臺、ASIC業(yè)務(wù)和Intel Foundry服務(wù)帶來機(jī)會。根據(jù)英特爾第三季財報,公司本季完成出售Altera多數(shù)股權(quán)、獲得美國政府57億美元加速撥款,以及來自輝達(dá)(NVIDIA)和軟銀集團(tuán)(SoftBank Group)的股權(quán)投資,這些行動將強(qiáng)化資產(chǎn)負(fù)債表,專注Intel Foundry長期發(fā)展。
中芯國際(SMIC)第三季營收達(dá)23.818億美元,年增9.7%,創(chuàng)下歷史次高。主要?dú)w功于晶圓出貨量增加和產(chǎn)品組合優(yōu)化,毛利率提升至22.0%,產(chǎn)能利用率回升至95.8%。消費(fèi)性電子產(chǎn)品貢獻(xiàn)晶圓收入43.4%為最大宗應(yīng)用。然而,管理層對第四季展望轉(zhuǎn)趨保守預(yù)計營收僅持平或微幅增長2%,毛利率將降至18%至20%。
3 ) 臺積電AI營收將達(dá)1萬億新臺幣,訂單能見度直達(dá)2028年
11月17日消息,據(jù)臺媒《經(jīng)濟(jì)日報》報道,晶圓代工龍頭大廠臺積電受益于英偉達(dá)、AMD、博通等大客戶的訂單涌入,今年AI相關(guān)營收將呈倍數(shù)增長,挑戰(zhàn)萬億新臺幣大關(guān),并且明年也將持續(xù)看漲,有望連續(xù)三年改寫歷史新高,助力臺積電2026年美元營收持續(xù)超越千億美元大關(guān),訂單能見度直達(dá)2028年。
報道稱,臺積電在2024年AI需求起飛期,當(dāng)年度AI相關(guān)營收首度突破百億美元,立下營運(yùn)新里程碑。今年在大客戶英偉達(dá)的領(lǐng)軍下,伴隨AMD、博通,以及其他ASIC客戶大單持續(xù)報到,推升臺積電先進(jìn)制程產(chǎn)能滿載,AI相關(guān)營收有望達(dá)280億美元至330億美元,較去年呈現(xiàn)倍數(shù)成長,新臺幣營收將突破1萬億元,再創(chuàng)歷史新高,整體泛AI相關(guān)營收(包含AI交換器與網(wǎng)絡(luò)連接相關(guān)ASIC、AI電腦邊緣設(shè)備等)預(yù)計有望占全年營收約23%至28%,超越公司預(yù)估。
在上述基礎(chǔ)上,臺積電客戶群AI新創(chuàng)應(yīng)用持續(xù)遍地開花,讓臺積電訂單滿手,估計2026年AI相關(guān)營收可望突破400億美元,達(dá)約新臺幣1.24萬億元,繼續(xù)創(chuàng)下歷史新高。
4 )三星重返第一3Q25 DRAM NAND Flash營收市占排名出爐
隨著人工智能由訓(xùn)練向推理的轉(zhuǎn)變,以及AI-Agent得到更為廣泛的應(yīng)用,全球范圍內(nèi)AI數(shù)據(jù)中心建設(shè)加速并相繼落地,大型CSP均超預(yù)期地加大并持續(xù)推進(jìn)AI相關(guān)投資,驅(qū)動服務(wù)器應(yīng)用中DRAM和NAND需求保持強(qiáng)勁態(tài)勢。
而Mobile和PC等消費(fèi)應(yīng)用領(lǐng)域,因受到產(chǎn)能優(yōu)先滿足于AI服務(wù)器需求的影響,對DRAM與NAND供應(yīng)短缺的擔(dān)憂日益加劇,其市場價格已經(jīng)發(fā)生上漲。
據(jù)CFM閃存市場數(shù)據(jù)顯示,2025年三季度全球DRAM市場規(guī)模環(huán)比增長24.7%至400.37億美元,NAND市場規(guī)模環(huán)比增長16.8%至184.22億美元,三季度全球存儲市場規(guī)模連續(xù)兩季度成長至584.59億美元,創(chuàng)造季度歷史新高。
3Q25全球DRAM市場規(guī)模400.37億美元,環(huán)比增長24.7%,同比增長54%。

3Q25全球NAND市場規(guī)模184.22億美元,環(huán)比增長16.8%,同比減少3.1%
據(jù)CFM閃存市場數(shù)據(jù)顯示,經(jīng)過連續(xù)兩個季度增長,三季度全球NAND市場規(guī)模達(dá)184.22億美元。盡管三季度整體NAND Flash bit出貨量保持增長,但受庫存快速下降以及制造工藝向先進(jìn)制程的遷移,令部分供應(yīng)商在四季度的供應(yīng)產(chǎn)出受限。

5 )2025 to 2034汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模增長預(yù)測
GMI預(yù)計到 2024 年,全球汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模為 743 億美元,銷量為 23.295 億臺。預(yù)計市場規(guī)模將從 2025 年的 797 億美元增長到 2030 年的 1168 億美元,到 2034 年將達(dá)到 1647 億美元,銷量為 50.241 億臺,在 2025-2034 年的預(yù)測期內(nèi)以 8.4% 的復(fù)合年增長率和 8.1% 的銷量復(fù)合年增長率增長。

汽車半導(dǎo)體市場的增長受到電氣化和動力總成發(fā)展、對先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 和自動駕駛、信息娛樂和車載網(wǎng)絡(luò)、連接和 V2X 通信以及監(jiān)管壓力和排放標(biāo)準(zhǔn)的日益重視的推動。
汽車半導(dǎo)體行業(yè)將經(jīng)歷顯著擴(kuò)張,特別是由于向電動汽車的快速轉(zhuǎn)變。內(nèi)燃機(jī)汽車正逐漸被電動汽車 (EV) 取代,這增加了對先進(jìn)功率半導(dǎo)體以及用于能量控制和轉(zhuǎn)換的電池管理系統(tǒng) (BMS) 和逆變器的需求。英國規(guī)定,到 2030 年,80% 的新車和 70% 的新貨車必須實(shí)現(xiàn)零排放,到 2035 年,這一數(shù)字將增加到 100% 零排放。

6 )此波存儲器價格上漲的分析
1. AI算力需求激增,HBM成“主戰(zhàn)場”
AI大模型訓(xùn)練和推理對高帶寬內(nèi)存(HBM)的需求呈指數(shù)級增長。HBM產(chǎn)能消耗是標(biāo)準(zhǔn)DRAM的3倍以上,而原廠優(yōu)先將晶圓產(chǎn)能轉(zhuǎn)向利潤更高的HBM和DDR5,直接擠壓了DDR4、LPDDR4X等成熟制程的供應(yīng),導(dǎo)致“計劃性犧牲”傳統(tǒng)消費(fèi)級產(chǎn)品。
2. 原廠控產(chǎn)保價,暫停報價加劇恐慌
三星、SK海力士、美光等巨頭自2024年起持續(xù)減產(chǎn)DDR4,并集中資源擴(kuò)產(chǎn)HBM。2025年Q4起,部分DRAM和NAND產(chǎn)品已停止報價或“一天一價”,下游廠商恐慌性囤貨,進(jìn)一步放大缺口。
3. AI服務(wù)器消耗量飆升,需求占比超40%
單臺AI服務(wù)器的DRAM用量是傳統(tǒng)服務(wù)器的8倍、NAND用量是3倍。2025年AI需求已占存儲總需求的40%,且仍在快速提升,徹底打破原有供需平衡。
4. 資本開支傾斜,產(chǎn)能轉(zhuǎn)移不可逆
2025年全球科技巨頭AI基礎(chǔ)設(shè)施投入達(dá)4000億美元,上游原廠將70%以上新增產(chǎn)能投向HBM/DDR5,預(yù)計2026年底HBM將占用25%的DRAM總產(chǎn)能,傳統(tǒng)內(nèi)存短缺至少持續(xù)到2026年Q4。
5. 漲價傳導(dǎo)至終端,消費(fèi)電子跟漲
DDR4現(xiàn)貨價2025年10月單周暴漲30%,NAND閃存合約價Q4上調(diào)50%。小米雷軍公開感嘆“內(nèi)存漲太多”,紅米K90、OPPO Find X9等新機(jī)被迫提價100-400元,顯示漲價已全面?zhèn)鲗?dǎo)至消費(fèi)端。一
綜上,AI引發(fā)的“吞噬式需求”疊加原廠產(chǎn)能結(jié)構(gòu)性轉(zhuǎn)移,是本輪存儲器“超級周期”與以往最大的不同,且短缺態(tài)勢大概率延續(xù)至2026年。
7 ) 中國AI的崛起,開放、效率與數(shù)據(jù)飛輪的三重奏
近日,Gartner數(shù)據(jù)分析與人工智能團(tuán)隊的費(fèi)天褀在接受了包括DOIT在內(nèi)的多家媒體采訪,系統(tǒng)性地剖析了中國AI產(chǎn)業(yè)的獨(dú)特發(fā)展路徑與核心競爭力。他將中國AI的成功歸納為三大支柱:開放創(chuàng)新(Open Innovation)、資源效率(Resourceful Efficiency)以及數(shù)據(jù)飛輪(Data Flywheel)。這不僅是技術(shù)層面的優(yōu)勢,更是一種融合了市場、政策與生態(tài)的綜合性戰(zhàn)略。
在全球知名的LLM Arena排行榜上,前十大模型中的所有開源模型均來自中國團(tuán)隊。費(fèi)天褀引用了一份美國《科學(xué)人》雜志的調(diào)研,極具說服力地指出:“目前美國有80%的AI創(chuàng)新企業(yè)都在使用中國的開源模型,因為其性價比最高?!?這一數(shù)據(jù)印證了中國在全球開源生成式AI生態(tài)中的毋庸置疑的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
從追趕者到全球領(lǐng)導(dǎo)者 費(fèi)天褀指出,中國AI的一個關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn),是在開源大模型領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了對全球的超越。“從2024年中到2025年初,一系列出色的中國開源模型,在準(zhǔn)確度、性能等關(guān)鍵指標(biāo)上,與閉源模型的差距迅速縮小,甚至在部分場景下實(shí)現(xiàn)了反超。” 這種追趕并非偶然。開源模式為中國企業(yè)提供了獨(dú)特的價值: 極致的定制化:企業(yè)可以完全下載模型,根據(jù)自身業(yè)務(wù)進(jìn)行深度微調(diào),打造最契合的應(yīng)用。
構(gòu)建無法復(fù)制的核心壁壘 在模型能力趨同、成本日益透明的未來,費(fèi)天褀認(rèn)為,數(shù)據(jù)將成為企業(yè)最獨(dú)特的戰(zhàn)略資產(chǎn)?!澳P痛蠹叶伎梢垣@取,但你的數(shù)據(jù)是獨(dú)有的。誰能構(gòu)建起高效的數(shù)據(jù)飛輪,誰就能在AI競爭中建立長久的壁壘?!?數(shù)據(jù)飛輪的運(yùn)作邏輯清晰而強(qiáng)大:一個基礎(chǔ)良好的模型催生應(yīng)用,應(yīng)用吸引用戶產(chǎn)生交互,交互反饋生成海量數(shù)據(jù),這些數(shù)據(jù)再反過來優(yōu)化模型,從而驅(qū)動更好的應(yīng)用,形成正向循環(huán)重新定義AI的投資回報 如果說開源是基礎(chǔ),那么效率就是中國AI實(shí)現(xiàn)商業(yè)價值的關(guān)鍵。費(fèi)天褀觀察到一個行業(yè)心態(tài)的轉(zhuǎn)變:“前兩年大家信奉‘規(guī)模效應(yīng)’,認(rèn)為算力堆砌得足夠多,就能得到更智能的模型。但DeepSeek的出現(xiàn)證明了另一條路的可行性——通過卓越的工程化和優(yōu)化,在有限的算力上也能輸出頂尖結(jié)果?!?這種對效率的極致追求,直接體現(xiàn)在成本控制上: API成本優(yōu)勢:中國模型的API調(diào)用價格普遍低于國際主流閉源模型,對于Token消耗巨大的業(yè)務(wù)場景,能顯著降低成本。
“一體機(jī)”模式:為了降低部署門檻,中國市場出現(xiàn)了將硬件、軟件、模型和集成服務(wù)打包的“AI一體機(jī)”。這為缺乏AI人才儲備的傳統(tǒng)企業(yè)提供了一條快速、可衡量ROI(投資回報率)的落地路徑。 費(fèi)天褀強(qiáng)調(diào):“對于大多數(shù)傳統(tǒng)企業(yè)而言,他們的目標(biāo)是優(yōu)化現(xiàn)有流程,而非進(jìn)行前沿科研。因此,如何用更低的成本,實(shí)現(xiàn)可見的業(yè)務(wù)提升,即效率,才是他們最關(guān)心的?!?/span>
8 ) 意法半導(dǎo)體發(fā)布全球首款18納米MCU已應(yīng)用于星鏈系統(tǒng)
11月19日,意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)正式發(fā)布全球首款采用18納米工藝節(jié)點(diǎn)的微控制器——STM32V8。這款新型微控制器能為高端嵌入式開發(fā)人員提供獲取更高性能、更高安全性和更大內(nèi)存的途徑。
長期以來,主流MCU多采用成熟制程,以兼顧成本、功耗與可靠性。然而,隨著邊緣計算、工業(yè)4.0和智能終端對實(shí)時處理能力的需求激增,傳統(tǒng)MCU已難以滿足高算力、低延遲的應(yīng)用場景。STM32V8的誕生,正是對這一瓶頸的強(qiáng)力突破。
該芯片采用18納米全耗盡型絕緣體上硅(FD-SOI)工藝,成為全球首款進(jìn)入“20納米以下”的MCU。意法半導(dǎo)體聲稱,這是業(yè)內(nèi)首款采用如此低工藝節(jié)點(diǎn)的微控制器。
這款芯片搭載了Arm旗下的Cortex - M85處理器,其運(yùn)行頻率峰值可達(dá)800MHz,并且集成了Helium M - Profile矢量擴(kuò)展(MVE)技術(shù)。該技術(shù)的融入,使得芯片在處理設(shè)備端機(jī)器學(xué)習(xí)和人工智能工作負(fù)載時能夠顯著加速。

意法半導(dǎo)體通用及汽車MCU事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理Patrick Aidoune介紹,憑借Arm Cortex-M85內(nèi)核的升級,STM32V8在實(shí)時控制應(yīng)用的標(biāo)量運(yùn)算性能上就提升了20%;在依賴DSP功能的應(yīng)用中,性能增幅高達(dá)300%至400%。
Patrick Aidoune表示,采用18納米SOI工藝可以實(shí)現(xiàn)800MHz的時鐘頻率和更大的非易失性存儲器(NVM)容量。而相變型NVM基于全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI)技術(shù)。與前幾代NVM相比,基于FD-SOI的相變型存儲器(PCM)可以實(shí)現(xiàn)更小的單元結(jié)構(gòu)。
意法半導(dǎo)體微控制器、數(shù)字集成電路和射頻產(chǎn)品事業(yè)部總裁雷米·埃爾-瓦扎內(nèi)(Remi El-Ouazzane)還強(qiáng)調(diào):“STM32V8 是我們迄今為止速度最快的 STM32 微控制器,專為在嚴(yán)苛的工作環(huán)境下實(shí)現(xiàn)高可靠性而設(shè)計,能夠替代體積更大、功耗更高的應(yīng)用處理器。STM32V8 代表了高性能微控制器單元 (MCU) 的未來發(fā)展方向,能夠滿足工業(yè)控制、傳感器融合、圖像處理、語音控制等高要求嵌入式和邊緣人工智能應(yīng)用的需求。”
據(jù)悉,衛(wèi)星通信集群服務(wù)提供商星鏈(Starlink)的星鏈迷你激光系統(tǒng)就采用了意法半導(dǎo)體(ST)的STM32V8微控制器。
9 )魏少軍教授:如何才能從根本上解決芯片設(shè)計業(yè)中的老問題
主流產(chǎn)品集中在中低端、創(chuàng)新能力弱、企業(yè)小而散、高端通用芯片突破緩慢——本質(zhì)上并非技術(shù)單點(diǎn)瓶頸,而是“生態(tài)系統(tǒng)”缺失:先進(jìn)制程、EDA、IP、人才、標(biāo)準(zhǔn)、市場、資本、政策之間沒有形成正向閉環(huán)。要“從根本上”緩解高端IC芯片供給矛盾,必須把“單點(diǎn)補(bǔ)短板”升級為“系統(tǒng)造生態(tài)”,用“四條鏈”同步重構(gòu):
1. 制造-設(shè)計協(xié)同鏈:不再讓設(shè)計企業(yè)“等產(chǎn)能”
① 以“鏈主制”在長三角、成渝、大灣區(qū)各打造1條“28 nm及以下適配線”,由中芯/華虹等開放25%產(chǎn)能做“公共服務(wù)”,對本土設(shè)計企業(yè)實(shí)行PPA(功率-性能-面積)達(dá)標(biāo)即流片,政府按每片晶圓給予30%流片補(bǔ)貼,三年內(nèi)把高端芯片首次流片平均成本從1200萬美元降到400萬美元以下。
② 鼓勵Fabless與制造企業(yè)共建“工藝-設(shè)計聯(lián)合實(shí)驗室”,把PDK(工藝設(shè)計套件)迭代周期由12個月縮短到6個月,解決“設(shè)計出去卻回不來”的痛點(diǎn) 。
2. EDA/IP安全鏈:把工具依賴變成“部分可控”一
① 國家牽頭設(shè)立“開源EDA基金”,三年內(nèi)每年投入20億元,把仿真、綜合、物理實(shí)現(xiàn)三大環(huán)節(jié)做成可插拔的開源底座,強(qiáng)制要求任何享受大基金二期流片補(bǔ)貼的企業(yè)必須先用國產(chǎn)或開源EDA完成30%以上模塊設(shè)計,形成“商業(yè)+開源”雙軌工具鏈 。
② 建立“IP共性池”,對RISC-V、PCIe、DDR、SerDes等高端接口IP實(shí)行“一次開發(fā)、全國授權(quán)”,使用費(fèi)不高于ARM的1/3,降低中小企業(yè)高端芯片設(shè)計門檻 。
3. 人才-資本循環(huán)鏈:把“缺口”變成“流量”
① 仿照“師范生公費(fèi)”模式,推出“芯片英才計劃”:高校每年定向培養(yǎng)3000名7 nm以下設(shè)計/工藝博士,學(xué)費(fèi)全免+年薪30萬元起,畢業(yè)須進(jìn)入國產(chǎn)供應(yīng)鏈企業(yè)工作五年;違約按3倍培養(yǎng)成本賠償,用“契約”替代“口號”解決人才流失 。
② 設(shè)立“高端芯片風(fēng)險補(bǔ)償金”,政府與投資機(jī)構(gòu)1∶1配資,對首輪流片失敗項目給予最高2000萬元風(fēng)險補(bǔ)貼,降低資本對高端芯片“一次流片即血虧”的恐懼,撬動社會資本進(jìn)入5-7 nm等深水區(qū) 。
4. 市場-標(biāo)準(zhǔn)加速鏈:讓“高端”先在國內(nèi)市場“跑起來”
① 在信創(chuàng)、車規(guī)、電力、軌交等“安全可控”領(lǐng)域發(fā)布“國產(chǎn)高端芯片白名單”,只要性能達(dá)到國外競品70%且功耗不高于120%,即強(qiáng)制給予30%份額保護(hù)期三年,為高端芯片提供“第一輪訂單”和持續(xù)迭代場景 。
② 建立“Chiplet互連國標(biāo)”,統(tǒng)一PHY、接口、封裝、測試規(guī)范,讓不同廠商的芯??梢浴皹犯呤健逼囱b,把12 nm小芯片通過先進(jìn)封裝拼出7 nm級性能,降低對EUV的依賴,緩解“制程焦慮” 。
當(dāng)“流片不再難、工具不再貴、人才不再缺、市場不再遠(yuǎn)”四個條件同時滿足,高端IC芯片就會從“項目”變成“生意”,企業(yè)才敢把研發(fā)重心從“活下去”轉(zhuǎn)向“跑在前”。只有把“單點(diǎn)突破”升級為“生態(tài)閉環(huán)”,魏少軍指出的那些“老問題”才會真正失去生存的土壤。
10 )瑞銀調(diào)研14家中國半導(dǎo)體公司,晶圓制造設(shè)備商們最樂觀
就在本月,瑞銀團(tuán)隊完成了一次對中國半導(dǎo)體行業(yè)的四季度專項調(diào)研。
通過走訪涵蓋晶圓制造設(shè)備、成熟制程晶圓代工廠、IC設(shè)計、測試服務(wù)、面板等全產(chǎn)業(yè)鏈的14家核心企業(yè),瑞銀判斷,2026年行業(yè)需求將呈現(xiàn)顯著分化。
其中,半導(dǎo)體設(shè)備、AI基礎(chǔ)設(shè)施、自動駕駛等領(lǐng)域增長確定性強(qiáng),而智能手機(jī)相關(guān)環(huán)節(jié)面臨短期壓力,國產(chǎn)化替代與技術(shù)突破仍是貫穿全行業(yè)的核心主線。
核心調(diào)研結(jié)論:四大關(guān)鍵洞察
晶圓制造設(shè)備需求樂觀:全供應(yīng)鏈對2026年中國晶圓制造設(shè)備需求持積極預(yù)期,國內(nèi)存儲芯片客戶有望很快下達(dá)正式訂單。
半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)鏈:2026年增長勢頭確定性強(qiáng)
瑞銀在本次調(diào)研中發(fā)現(xiàn),半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)鏈企業(yè)普遍展現(xiàn)出強(qiáng)勁信心,核心增長邏輯與企業(yè)進(jìn)展清晰可見。
行業(yè)整體需求:8%-10%同比增長可期
所有受訪WFE供應(yīng)鏈企業(yè)均看好2026年需求前景,部分企業(yè)預(yù)計同比增長8%-10%(瑞銀預(yù)測為5%)。
增長核心驅(qū)動力來自兩方面:
一是長江存儲、長鑫存儲的產(chǎn)能擴(kuò)張,調(diào)研顯示這兩家企業(yè)可能很快向國內(nèi)供應(yīng)商下達(dá)正式訂單。
二是先進(jìn)邏輯芯片領(lǐng)域的設(shè)備需求補(bǔ)充,而成熟制程邏輯芯片擴(kuò)張將逐步回歸正常節(jié)奏。
長期來看,公司預(yù)計2030年中國WFE市場規(guī)模將達(dá)4000億元人民幣(約550億美元),國產(chǎn)化率將提升至50%。
華海清科:正將產(chǎn)品組合從CMP設(shè)備拓展至研磨、拋光、離子注入機(jī)、晶圓檢測等領(lǐng)域,同時從前端工藝延伸至后端先進(jìn)封裝。
北方華創(chuàng):對業(yè)績超越行業(yè)平均水平充滿信心,高深寬比電容耦合等離子體(CCP)刻蝕設(shè)備研發(fā)進(jìn)展樂觀,目標(biāo)在金屬沉積領(lǐng)域全面替代應(yīng)用材料公司(AMAT)。
長期來看,公司預(yù)計2030年中國WFE市場規(guī)模將達(dá)4000億元人民幣(約550億美元),國產(chǎn)化率將提升至50%。
華海清科:正將產(chǎn)品組合從CMP設(shè)備拓展至研磨、拋光、離子注入機(jī)、晶圓檢測等領(lǐng)域,同時從前端工藝延伸至后端先進(jìn)封裝。
京儀裝備:核心產(chǎn)品冷卻機(jī)和洗滌器在國內(nèi)頭部晶圓廠的市占率達(dá)90%-100%,與刻蝕設(shè)備協(xié)同實(shí)現(xiàn)溫度平衡與污染控制。
當(dāng)前超低溫(-40℃/-60℃及以下)冷卻機(jī)需求持續(xù)上升,側(cè)面印證國內(nèi)供應(yīng)商在高深寬比CCP刻蝕技術(shù)上的突破。
富創(chuàng)精密:2025年三季度初始訂單快速增長,成為存儲芯片客戶正式訂單落地的早期信號(通常初始訂單3-6個月交付OEM,再經(jīng)3-6個月認(rèn)證轉(zhuǎn)化為批量業(yè)務(wù))。
公司設(shè)定2030年目標(biāo):營收200億元人民幣,凈利潤率20%,將通過南通、北京、新加坡工廠擴(kuò)產(chǎn)(單廠設(shè)計產(chǎn)能20億元)及拓展海外客戶實(shí)現(xiàn)增長。
受訪晶圓代工廠呈現(xiàn)“成熟制程穩(wěn)、先進(jìn)制程擴(kuò)”的格局,同時面臨部分應(yīng)用需求波動:
長鑫存儲:2025年四季度產(chǎn)能利用率維持高位,2026年一季度受季節(jié)性影響略有下降。受存儲成本上漲影響,智能手機(jī)相關(guān)的CIS、DDIC領(lǐng)域面臨需求與定價壓力。
2026年底將新增20-30kwpm 28nm邏輯產(chǎn)能(資本支出100-150億元),2027年上半年量產(chǎn),主要供應(yīng)DRAM的CMOS鍵合陣列邏輯層。
兩條12英寸產(chǎn)線建設(shè)中:65nm制程線(40kwpm,投資75億元)一期爬坡中,二期推遲至2026年中期;28nm制程線(50kwpm,投資330億元)由京東方參股,廠房主體年內(nèi)完工。
地平線:高端自動駕駛解決方案(HSD)已被奇瑞星途ET5等多家OEM標(biāo)配,L2+級自動駕駛(含城市NOA)已滲透至15萬元以下車型。
機(jī)器人業(yè)務(wù)方面,第一代SoC主導(dǎo)國內(nèi)掃地機(jī)器人與歐洲割草機(jī)市場,第二代應(yīng)用于360攝像頭、機(jī)器狗,第三代瞄準(zhǔn)人形機(jī)器人(尚處早期)
麥捷科技:信號鏈(占比70%,核心為光學(xué)傳感器)與無線充電為核心業(yè)務(wù)。dTOF傳感器將替代紅外傳感器,2026年在掃地機(jī)器人、智能手機(jī)屏下應(yīng)用中放量。
已從中國臺灣晶圓廠轉(zhuǎn)向國內(nèi)產(chǎn)能,制程從8英寸0.18um升級至12英寸55nm,獲得顯著成本優(yōu)勢。
后端測試成為AI產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵受益環(huán)節(jié),頭部企業(yè)訂單與技術(shù)突破雙豐收:
華峰測控:2025年前9-10個月訂單增長強(qiáng)勁,受OSAT、模擬/功率器件及AI電源基礎(chǔ)設(shè)施需求驅(qū)動。高端SoC測試設(shè)備STS8600進(jìn)展順利,即將向AI客戶送樣現(xiàn)場認(rèn)證,將直接受益于國內(nèi)AI基礎(chǔ)設(shè)施的功率管理需求。
維信諾測試:在ADAS SoC、GPU、AI加速器等算力相關(guān)測試領(lǐng)域占據(jù)核心地位,是絕大多數(shù)相關(guān)供應(yīng)商的首選測試服務(wù)商。2026年增長勢頭將持續(xù),產(chǎn)能擴(kuò)張意愿強(qiáng)烈:已投入15億元設(shè)備資本支出,2026年計劃再投資10億元;當(dāng)前V93000仍是高端主流測試設(shè)備,國內(nèi)測試設(shè)備正逐步起量。
光模塊:800G放量 1.6T啟動
華工科技:預(yù)計2025年國內(nèi)光模塊出貨量1500-1600萬件(2024年600-700萬件),2026年增至2000萬件。
800G產(chǎn)品占比將從10%-15%升至40%,2026年1.6T小批量出貨,硅光子解決方案滲透率提升。
超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心客戶需求增長快于運(yùn)營商,多模光模塊因短距離傳輸需求更具優(yōu)勢;公司自主研發(fā)SiPh IC與EML芯片,完善供應(yīng)鏈布局。
莫大康:浙江大學(xué)校友,求是緣半導(dǎo)體聯(lián)盟顧問。親歷50年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程的著名學(xué)者、行業(yè)評論家。