江蘇芯緣半導體有限公司
Jiangsu Thankyou Semiconductor Co.,Ltd.
1. 逾417億美元，Q2全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)營收季增14.6%創(chuàng)新高
根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2025年第二季因中國市場消費補貼引發(fā)的提前備貨效應，以及下半年智能手機、筆電/PC、Server新品所需帶動，整體晶圓代工產(chǎn)能利用率與出貨量轉強，推升全球前十大晶圓代工廠營收至417億美元以上，季增達14.6%的新高紀錄。
TSMC（臺積電）隨主要手機客戶正式進入新機備貨期，且筆電/PC、AI GPU新平臺開始放量出貨，其總晶圓出貨與平均銷售價格（ASP）皆成長，營收季增18.5%，達302.4億美元，市占率更一舉創(chuàng)下70.2%的紀錄，穩(wěn)居市場龍頭。
SMIC（中芯國際）第二季仍受惠于國際形勢變化以及中國市場消費補貼驅(qū)動的提前備貨訂單，晶圓出貨季增。然而，受晶圓出貨延遲、ASP下滑影響，SMIC第二季營收季減1.7%，略降至22.1億美元左右。市占率也微幅減少為5.1%，排名維持第三
在中國市場消費補貼、IC國產(chǎn)替代等趨勢下，HuaHong Group（華虹集團）旗下HHGrace（華虹宏力）第二季產(chǎn)能利用率上升、總晶圓出貨量季增，部分與ASP小幅下滑相抵，營收季增4.6%；合并HLMC（上海華力）等事業(yè)后，集團營收約季增5%至10.6億美元，市占約2.5%，維持第六名。
第九名Nexchip（合肥晶合）則受惠于中國市場消費補貼紅利，及部分客戶提高下半年新品周邊IC訂單量，與晶圓代工價格偏低的因素相抵后，其第二季營收為3.6億美元，季增近3%。
2. 長存與長鑫合作開發(fā)HBM
據(jù)報道，本土主要NAND制造商長江存儲科技（YMTC）也在進行DRAM的研發(fā)，并尋求與本土主要DRAM制造商長鑫存儲的合作。
據(jù)芯視點介紹，長江存儲正在與部分合作伙伴商討訂購研發(fā)設備，用于生產(chǎn) HBM 所需的 DRAM ，預計“最早將于今年年底完成”。
長江存儲基于HBM的DRAM的開發(fā)并非某家公司單獨努力的成果。據(jù)了解，長江存儲目前正在與長鑫存儲（CXMT）合作開發(fā)HBM。
半導體研究公司TechInsights高級副總裁 Choi Jeong-dong 表示：“據(jù)了解，長江存儲正在與長鑫存儲合作開發(fā)DRAM和HBM。具體來說，雙方正在嘗試一項合作計劃，由長鑫存儲提供 DRAM，長江存儲提供混合鍵合技術，該技術很可能應用于下一代HBM?！?/span>
預計明年長鑫的HBM產(chǎn)能可達每月約5萬片晶圓，約為三星電子和SK海力士預計HBM產(chǎn)能的20%至25%。今年第一季度，長鑫在全球DRAM市場的份額為6%。據(jù)悉，長鑫正加速第四代HBM（HBM3）的量產(chǎn)。
此外，中國科技巨頭華為獨辟蹊徑，開發(fā)并推出了一種新型數(shù)據(jù)中心內(nèi)存AI SSD，可大大減少了對HBM的依賴，并可大幅提升算力卡效率，為AI應用提供更強支撐。
在HBM市場，SK海力士、三星和美光三大供應商各自有著不同的產(chǎn)能擴張計劃。SK海力士積極擴大產(chǎn)能，提升其在HBM3E市場中的主導地位。SK海力士已將其2025年底的月產(chǎn)能目標從6.5萬片提升至15萬片，并計劃在2026年進一步擴建。三星預計其2025年底HBM月產(chǎn)能將達到15萬片晶圓。美光則預計到2026年底其月產(chǎn)能將達到9萬片。
隨著HBM競爭從HBM3E，進入HBM4和定制化HBM，預計競爭格局將被進一步打破。新技術（如HBM5至HBM8）將推動行業(yè)持續(xù)發(fā)展，大陸DRAM 產(chǎn)業(yè)或?qū)⒊蔀樾碌囊粯O。
據(jù)預測，2025年全球HBM市場規(guī)模將同比增長175.5%，達到476億美元，并預計到2026年將增長至655億美元，2038年至2039年有望突破1000億美元大關。
3. 中國發(fā)布全球首款通用6G芯片，網(wǎng)速較美國農(nóng)村地區(qū)快5000倍
一塊小小的芯片，到底有多牛？先給你們說個數(shù)據(jù)，它能讓移動互聯(lián)網(wǎng)速度超過每秒 100 千兆比特，這速度，是現(xiàn)在 5G 網(wǎng)絡峰值的 10 倍還多呢！美國農(nóng)村地區(qū)平均網(wǎng)速啥水平？據(jù)聯(lián)邦通信委員會的數(shù)據(jù)，大概也就 20Mbps ，咱這 6G 芯片直接把網(wǎng)速干到 100Gbps，5000 倍的差距，太夸張了！
這芯片為啥這么厲害？主要是它打破了傳統(tǒng)移動通信設備只能在特定頻段工作的限制，能覆蓋從低頻到高頻的完整無線頻譜。你們想啊，以前不同頻段得用不同設備，現(xiàn)在一顆芯片全搞定。城市里用高頻，速度快得飛起，郊區(qū)和農(nóng)村自動切換到低頻，信號覆蓋穩(wěn)穩(wěn)的。它里面還有人工智能算法，能根據(jù)環(huán)境特征、用戶需求和網(wǎng)絡狀況，自己調(diào)整頻段配置和功率分配，就跟有個聰明的小助手似的。
4. 臺積電清洗“高毛利、高大陸比重”本土設備商
臺積電2nm產(chǎn)線將全面排除中國設備的消息引發(fā)市場擔憂，不止大陸半導體設備遭受沖擊，臺灣半導體業(yè)界亦風聲鶴唳。
據(jù)悉，臺積電2nm已逐步替換中微公司和屹唐股份美國子公司Mattson Technology的設備，這些企業(yè)曾參與其先進制程生產(chǎn)。
最近據(jù)Digitimes報道，臺積電將再次對其供應鏈進行提前審查，這次的目標涵蓋“大聯(lián)盟”與“小聯(lián)盟”成員，其中包括眾多臺灣本地設備與材料供應商。
5. 郭平：華為要成為世界AI算力的第二選擇或另一選擇！目標比肩美國
華為心聲社區(qū)公布了華為監(jiān)事會主席郭平與新員工的座談交流紀要，在互動問答部分解讀了多個關于華為的熱點話題。
對于大家非常關注的芯片領域“卡脖子”，華為過去幾年重點發(fā)力，拿出了昇騰910B等重磅產(chǎn)品，但是在大模型領域，華為暫時還沒有引領潮流，盤古大模型部門最近也進行了重大調(diào)整。
對此，郭平表示，華為目前正在探索AI變現(xiàn)，比較確定的是要成為世界算力的第二選擇，或者是另一個選擇(第一選擇是誰大家都懂)。
這個問題,可以分為六個方面：
第一，在算力領域如何比肩美國、領先國內(nèi)其他伙伴是華為的追求。
第二，華為的終端要靠AI來武裝，預計未來所有的智能終端都會變成一個AI智能體。
第三，華為的車業(yè)務，智能駕駛的本質(zhì)是建立在AI能力上，華為在車業(yè)務和終端業(yè)務要成為AI應用的排頭兵。
第四，電信運營商業(yè)務要靠AI來加持，要用AI技術來改造電信運營商網(wǎng)絡，讓電信運營商的網(wǎng)絡能夠“自動駕駛”，讓華為自己成為自己算力的核心客戶，再由電信運營商延伸到關鍵工業(yè)領域的應用。
第五，華為成立各個軍團，在ToB（面向企業(yè)客戶）領域幫助各行業(yè)用AI去實現(xiàn)改變或升級。
第六，思考如何用AI來改善華為公司內(nèi)部的運營和管理，讓AI變成華為的一個核心競爭優(yōu)勢。
6. 20年差距！高盛：中國光刻機65nm階段落后ASML兩代
9月2日，高盛集團發(fā)布最新研究報告指出，盡管中國在半導體產(chǎn)業(yè)整體發(fā)展迅速，但在芯片制造的核心設備——光刻機領域，依然面臨關鍵技術瓶頸。當前國產(chǎn)光刻機的公開技術水平主要停留在65納米（nm）制程，與全球領先企業(yè)荷蘭ASML相比，差距約為20年。
報告強調(diào)，光刻機是芯片制造流程中的“決定性環(huán)節(jié)”，其性能直接決定了芯片的制程精度和量產(chǎn)能力。目前，全球最先進的5nm及以下先進制程芯片，必須依賴極紫外光（EUV）光刻機進行生產(chǎn)；而面向未來的2nm及埃米級工藝，則需采用更尖端的高數(shù)值孔徑（High NA）EUV光刻機。這些頂級設備目前全球僅有ASML具備制造能力。
高盛在報告中分析，即便中芯國際等本土晶圓廠已實現(xiàn)7nm等效工藝的芯片量產(chǎn)，其生產(chǎn)過程大概率仍依賴ASML較早一代的深紫外光（DUV）光刻機，而非EUV設備。這表明，中國目前尚未掌握EUV及先進DUV光刻機的自主制造能力，設備核心組件高度依賴歐美供應鏈。
從技術演進路徑看，ASML從65nm光刻技術發(fā)展到如今的3nm以下制程，歷時約二十年，累計研發(fā)投入與資本支出高達400億美元。高盛認為，考慮到中國當前的技術基礎、所需的巨大資金投入以及全球半導體供應鏈的高度復雜性，國產(chǎn)光刻機廠商在短期內(nèi)追平西方先進水平的可能性較低。
7. 財報透視國產(chǎn)硅片企業(yè)競爭力頭部廠商表現(xiàn)如何？
半導體硅片作為芯片制造的核心基底材料，占據(jù)芯片總成本的30%-40%，是半導體材料中市場份額最大的品類。半導體硅片市場高度集中，信越半導體、SUMCO 等六大國際廠商占據(jù)了80%的市場份額。近年來中國硅片業(yè)的自主化浪潮也在加速，許多國產(chǎn)硅片廠商積極投入研發(fā)與擴產(chǎn)。2023年中國硅片市場規(guī)模為33.79億美元，約占全球的20.63%，國產(chǎn)化率約15%-20%，預計2030年將達到58.67億美元，屆時全球占比將提升至23.21%。
那么，面對國際大廠的競爭，哪些國產(chǎn)硅片廠商更具抗壓能力和發(fā)展?jié)摿Γ拷?，A股上市公司2025半年報發(fā)布。基于財報數(shù)據(jù)，本文對比了國內(nèi)硅片領域A股上市公司在營收、毛利、研發(fā)費用、存貨周轉周期等方面的表現(xiàn)，希望以此對國產(chǎn)硅片廠商的發(fā)展情況能有一個較為清晰的認識。
2025年半導體硅片市場，盡管受汽車與工業(yè)領域需求疲軟影響，庫存調(diào)整周期有所延長，但在高帶寬內(nèi)存（HBM）和先進邏輯芯片需求的推動，12英寸高端硅片的需求開始增長，市場整體正在擺脫2024年的下滑態(tài)勢。SEMI預測2025年全年出貨量將增長10%，達到133.28億平方英寸。
近年來，中國硅片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展速度也很快，在政策支持與國產(chǎn)替代驅(qū)動下，國產(chǎn)硅片企業(yè)也掀起了一輪擴產(chǎn)浪潮。8月14日西安奕材科創(chuàng)板IPO成功過會。本次IPO，西安奕材擬募資49億元，投入到西安奕斯偉硅產(chǎn)業(yè)基地二期項目中，有助于該公司進一步開拓客戶，攻關先進代際DRAM、先進制程NAND Flash和更先進制程邏輯芯片所需12英寸硅片，持續(xù)提升產(chǎn)品和技術端的核心競爭力。
8月14日，有研硅發(fā)布半年度財務報告，上半年該公司實現(xiàn)總營業(yè)收入4.91億元，利潤總額達到1.50億元。項目進展方面，有研硅透露“集成電路用8英寸硅片擴產(chǎn)項目”第一期5萬片/月已于2024年達產(chǎn)，預計2025年年底完成驗收。
相關的消息還有很多，例如滬硅產(chǎn)業(yè)2024年宣布投資132億元建設12英寸硅片產(chǎn)能升級項目，預計2026年總產(chǎn)能達120萬片/月。鄭州合晶12英寸大硅片二期項目開始進行潔凈室建設，計劃9月底完成交付等。
2025年上半年，硅片行業(yè)A股上市公司總收入約為180.86億元，多數(shù)公司與去年同期相比有所增長，但盈利能力仍有不足，6家公司的盈利總和出現(xiàn)負數(shù)。
從不同公司的營收表現(xiàn)來看，營業(yè)總收入前兩名的企業(yè)分別是TCL中環(huán)（133.98億元）、滬硅產(chǎn)業(yè)（16.97億元）。營收同比增長較快的企業(yè)是神工股份，達到66.53%。
從毛利潤表現(xiàn)上來看，盈利前兩名的企業(yè)分別是：有研硅（1.96億元）和立昂微（1.86億元）。從毛利率來看，前三的企業(yè)是有研硅（39.98%）、神工股份（37.59%），都在30%以上。
8. 美國撤銷外資在華芯片廠授權，鎖定技術水平和產(chǎn)能規(guī)模
當前，中美科技競爭日趨激烈，半導體產(chǎn)業(yè)作為現(xiàn)代科技的基石，成為兩國戰(zhàn)略博弈的焦點。為維護其技術領先地位并應對所謂的“國家安全威脅”，美國政府采取“小院高墻”策略，主動限制本國資本和技術流向中國。
當?shù)貢r間8月29日，美國商務部下屬工業(yè)與安全局（BIS）發(fā)布聲明，撤銷三星、SK海力士及英特爾在中國的芯片制造設備出口許可，要求其獲得單獨批準才能繼續(xù)運營。此舉旨在堵塞出口管制漏洞，限制中國芯片產(chǎn)業(yè)技術升級。
據(jù)悉，BIS已修訂《出口管理條例》（EAR），將三家在中國擁有大型半導體制造工廠的非中國公司——英特爾（Intel）、三星（Samsung）和SK海力士（SK Hynix）——從“經(jīng)驗證最終用戶授權清單”中移除。這意味著這些企業(yè)需要獲得許可才能將某些美國芯片制造設備運往其在中國的工廠。
該決定將在當?shù)貢r間9月2日公布120天后，即12月31日正式生效。而這些公司被要求在120天內(nèi)（即2025年12月底前）為其在華工廠的持續(xù)運營申請新的許可證。
至關重要的是，BIS明確表示，新許可證的審批將遵循“拒絕推定”（presumption of denial）的原則，且不會批準任何旨在擴大產(chǎn)能或進行技術升級的申請。這意味著這些工廠的現(xiàn)有技術水平和生產(chǎn)規(guī)模將被“鎖定”。
此舉是BIS持續(xù)收緊對華半導體出口管制的一部分。此前的規(guī)則已經(jīng)嚴格限制美國實體和個人支持中國境內(nèi)的半導體研發(fā)和生產(chǎn)活動并將大量中國實體列入“實體清單”（Entity List），嚴格限制其獲取美國技術。
9. 908億美元！英偉達2025上半年“賺麻了”！
近日，AI巨頭英偉達公布了截至2025年7月27日止的2026財年第二季度業(yè)績。財報顯示，英偉達當季營收達467.43億美元，同比增長56%；凈利潤為264.22億美元，同比增長59%，GAAP下的毛利率為72.4%。
從半年度業(yè)績來看，截至2025年7月27日的上半年（2026財年上半年），英偉達共實現(xiàn)營收908億美元，同比增長61.9%。實現(xiàn)凈利潤為452億美元，同比增長43.58%。作為對比，2025財年英偉達實現(xiàn)營收1304.9億美元，同比增長114.2%。
中國市場成為最大變量。在財報會上，黃仁勛表示，預計中國市場今年會有500億美元的機會，如果公司有強競爭力的產(chǎn)品可以滿足市場，預計接下來有50%的年增長。他還預計，到2030年，AI基礎設施的支出會達到3萬億至4萬億美元，這將為英偉達帶來巨大的長期增長機遇。
黃仁勛在財報會上表示，“中國是全球第二大計算市場，也是AI研究人員的聚集地，全球約有50%的AI研究人員在中國。我認為，對于美國科技公司來說，進軍這個市場至關重要?！?/span>
英偉達CFO Colette Kress透露，英偉達準備出貨價值20億至50億美元的H20芯片，但仍在等待政府和企業(yè)進行討論，來確定后續(xù)采購和規(guī)劃。
隨著中國市場的波動、GB200和GB300的放量，英偉達第三季度的指引成為關注點。根據(jù)財報，英偉達預計第三季度營收540億美元，上下浮動2%，毛利率預計73.5%，上下浮動50個基點。不及分析師最高的600億美元預期。
值得注意，公司在第三季度展望中未計入對中國的H20產(chǎn)品出貨。有分析指出，雖然AI硬件需求的長期確定性不容忽視，但對英偉達而言，中國市場銷售缺失是其一個“痛點”，并成為影響其未來業(yè)績的一大變量。
10. 關于組建求是緣半導體聯(lián)盟設備和零部件專業(yè)委員會
近年來，國內(nèi)外半導體設備和零部件行業(yè)的生態(tài)出現(xiàn)了深刻的變化。求是緣半導體聯(lián)盟中相關的成員，包括單位及個人會員，越來越意識到有必要成立聯(lián)盟專業(yè)委員會，以促進交流與合作、以形成合力推進行業(yè)的健康發(fā)展。呼聲日益增高。聯(lián)盟理事會在征求部分會員意見的基礎上，經(jīng)過不同形式、不同范圍的多次討論研究，決定啟動“求是緣半導體聯(lián)盟設備和零部件專業(yè)委員會”（以下簡稱“專委會”）的組建工作。
專委會的管理架構 —— 通過充分民主的醞釀，在推薦和自薦相結合的基礎上，選舉產(chǎn)生一個由九人組成的專委會執(zhí)行委員會。由這九名執(zhí)行委員推舉主任委員一人、副主任委員兩人、秘書長一人，并完成其他的分工。執(zhí)行委員會是專委會的決策機構，也是責任機構。執(zhí)行委員會將在專委會中邀請少量有意愿的成員協(xié)助工作。初定執(zhí)行委員會每年改選其中三分之一的成員，以期在保持運轉穩(wěn)定的同時吸收新的血液和新的思維。專委會在聯(lián)盟理事會的指導下開展活動。
專委會的目標和任務 —— 在政府相關政策引導和行業(yè)主管部門的支持下，在聯(lián)盟理事會的具體指導下，通過集思廣益、利他互助，建成一個開放的、傳播和發(fā)揮正能量的、有一定資源廣度和專業(yè)深度的同業(yè)聯(lián)系平臺和專業(yè)展示舞臺。圍繞國家堅定不移地發(fā)展半導體和集成電路產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略思想，幫助專委會成員實現(xiàn)關鍵技術與重大科技產(chǎn)品創(chuàng)新。整合產(chǎn)業(yè)鏈資源，推進創(chuàng)新成果的共享與產(chǎn)業(yè)化，提升我國集成電路裝備產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新能力和整體創(chuàng)新水平。
專委會的活動經(jīng)費來源 —— 主要依靠會員，特別是單位會員的捐助，少量來自聯(lián)盟的支持。所有會員都是繳納了聯(lián)盟會員費的，專委會不另收會員費。
專委會會員的基本條件、權利和義務 —— 凡愿意遵守專委會相關規(guī)章，熱心支持我國集成電路裝備產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展，自愿加入本會并積極履行成員義務的求是緣聯(lián)盟成員，均可申請加入本會。
專委會組建的計劃和時間表 ——
1） 由聯(lián)盟副理事長曹煉生、聯(lián)盟副理事長兼秘書長徐若松、聯(lián)盟活動部部長劉紅和聯(lián)盟常州聯(lián)絡處主任羅曼曼組成籌備工作組。
2） 通過現(xiàn)有的微信群公告本通知?！緞⒓t、羅曼曼負責，9/4 開始】
3） 9 月 5-6 號，在無錫，半導體設備年會期間；9 月中旬，在上海，各組織一場由有興趣加入專委會的求是緣會員單位和個人參加的聚會，討論本通知，對組建專委會提出意見和建議?！静軣捝?、徐若松、羅曼曼負責】
4） 建“設備和零部件專委會群”（簡稱“群”）?！玖_曼曼、曹煉生負責，9/4 開始】
5） 在聽取意見的基礎上形成《求是緣半導體聯(lián)盟設備和零部件專業(yè)委員會創(chuàng)建協(xié)議書》?！静軣捝撠?，10/3 前】
6） 分發(fā)電子版《協(xié)議書》，同時開始登記專委會入會會員。【劉紅、羅曼曼負責，10/7 開始】
7） 開始接受入會申請（簽署《協(xié)議書》并遞交個人情況表）同時發(fā)放/收集“專委會執(zhí)行委員推薦/自薦表”?！緞⒓t、羅曼曼負責，10/10 開始】
8） 提交“專委會執(zhí)行委員推薦/自薦表”截止?！?0/24】
9） 根據(jù)“專委會執(zhí)行委員推薦/自薦表”整理“得票數(shù)”，產(chǎn)生第一屆執(zhí)行委員會。召開第一屆執(zhí)行委員會第一次會議，產(chǎn)生主任、副主任、秘書長；明確內(nèi)部分工；計劃近期活動安排?！?0/30 左右】
10） 求是緣十周年慶上正式宣布專委會成立。