江蘇芯緣半導(dǎo)體有限公司
Jiangsu Thankyou Semiconductor Co.,Ltd.
1. 深圳新凱來介紹
深圳新凱來全稱“深圳市新凱來技術(shù)有限公司”是一家由深圳國資委控股的半導(dǎo)體設(shè)備制造商，脫胎于華為2012實驗室的“星光工程部”成立于2021年。該公司在2025年3月SEMICON China展會上首次公開亮相，憑借覆蓋芯片制造全流程的31款高端設(shè)備引發(fā)行業(yè)震動，核心零部件國產(chǎn)化率達(dá)100%。以下從產(chǎn)品布局與客戶生態(tài)兩方面展開分析：
一、 核心產(chǎn)品體系：六大類設(shè)備覆蓋芯片制造全流程
1. 工藝設(shè)備
刻蝕設(shè)備（武夷山系列）：支持5nm以下先進(jìn)制程，采用多頻電源控制技術(shù)提升等離子體密度均勻性，刻蝕速度較國際競品提升20%，晶圓成本降低30%。
薄膜沉積設(shè)備：
- 阿里山ALD：原子層沉積精度達(dá)0.1nm，適配5nm GAA晶體管工藝，突破ASML技術(shù)封鎖。
-長白山CVD：單腔4工位設(shè)計提升效率30%，兼容28nm至5nm制程。 - 普陀山PVD：金屬鍍膜精度±1.3微米（頭發(fā)絲的1/50），媲美應(yīng)用材料同類產(chǎn)品。
外延設(shè)備（峨眉山系列）：專攻SiC/GaN功率器件，填補國內(nèi)第三代半導(dǎo)體制造空白，已用于新能源汽車芯片。
熱處理設(shè)備（三清山RTP）：磁懸浮技術(shù)實現(xiàn)±0.5℃溫控，比行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)提升40%。
2. 量檢測設(shè)備
光學(xué)檢測（岳麓山BFI/丹霞山DFI）：明場/暗場缺陷檢測精度達(dá)0.15μm，適配12英寸晶圓廠量產(chǎn)線。
X射線量測（天門山系列）：搭載自研微焦點光源，檢測精度突破5nm，運行穩(wěn)定性超2萬小時。
物理量測（沂蒙山AFM）：原子力顯微鏡實現(xiàn)納米級表面形貌分析。
3. 光刻系統(tǒng)
浸沒式光刻機(jī)：良率達(dá)92%，綜合成本僅為ASML方案的60%，通過自研SAQP（自對準(zhǔn)四重成像）技術(shù)，以DUV光刻實現(xiàn)5nm工藝，繞開EUV限制。
二、客戶生態(tài)：頭部晶圓廠與國產(chǎn)供應(yīng)鏈協(xié)同
新凱來已打入國內(nèi)頂級制造企業(yè)供應(yīng)鏈，并帶動國產(chǎn)設(shè)備商集體突圍：
1. 晶圓制造客戶
中芯國際：28nm產(chǎn)線驗證新凱來刻蝕與ALD設(shè)備，2025年采購占比目標(biāo)超10%。
長江存儲：5nm刻蝕機(jī)（武夷山系列）通過量產(chǎn)驗證，用于3D NAND芯片制造。
華虹半導(dǎo)體：12英寸產(chǎn)線全面導(dǎo)入岳麓山光學(xué)量測設(shè)備。
臺積電：啟動對其薄膜沉積設(shè)備的技術(shù)評估，潛在合作可期。
2. 供應(yīng)鏈合作伙伴
零部件供應(yīng)商：
新萊應(yīng)材：提供超高潔凈管路系統(tǒng)、真空閥門，2024年訂單超8000萬元。
富創(chuàng)精密：供應(yīng)刻蝕機(jī)腔體、法蘭等精密金屬部件。
奧普光電：通過合資公司長光集智提供光刻機(jī)曝光系統(tǒng)。
設(shè)備與材料協(xié)同：
至純科技：提供濕法清洗設(shè)備，訂單量同比增長300%。
同惠電子：供應(yīng)精密阻抗測試儀，服務(wù)華為海思與新凱來研發(fā)。
路維光電：掩膜版核心供應(yīng)商，雙向采購關(guān)系（新凱來設(shè)備亦用于其生產(chǎn)線）。
國產(chǎn)替代引擎與生態(tài)重構(gòu)者
新凱來以“全鏈路覆蓋+100%國產(chǎn)化”為核心競爭力，短期內(nèi)成為中芯國際、長江存儲等頭部晶圓廠的國產(chǎn)設(shè)備主力供應(yīng)商，長期目標(biāo)直指全球半導(dǎo)體設(shè)備前十。其技術(shù)突破帶動了新萊應(yīng)材、至純科技等國產(chǎn)供應(yīng)鏈崛起，迫使應(yīng)用材料、東京電子等國際巨頭降價20%以上。
挑戰(zhàn)與前景：
量產(chǎn)穩(wěn)定性待驗證（如EPI均勻性仍落后國際15%）；
美國出口管制升級或影響14nm以下設(shè)備供應(yīng)鏈。
若持續(xù)深化與華為、長春光機(jī)所的技術(shù)協(xié)同，并加速產(chǎn)能擴(kuò)張（2025年Q3深圳新廠投產(chǎn)后產(chǎn)能達(dá)200臺/年），新凱來有望在2027年前成為全球成熟制程設(shè)備的領(lǐng)導(dǎo)者。
2025年銷售額：
2025年上半年新凱來累計訂單已超12億元，主要來自刻蝕設(shè)備（武夷山系列）、薄膜沉積設(shè)備（阿里山系列）及量檢測設(shè)備的量產(chǎn)訂單。
結(jié)合公司2024年營收約10億元（數(shù)據(jù)源于融資文件），以及SEMICON China 2025展會發(fā)布的31款設(shè)備推動訂單激增，行業(yè)預(yù)測其2025年全年營收增速達(dá)150%，對應(yīng)銷售額約25億元。
2025年B輪融資后估值已達(dá)200億元（投前），反映資本市場對其成長性的高度認(rèn)可。
未來3-5年核心規(guī)劃
新凱來的戰(zhàn)略聚焦技術(shù)突破、產(chǎn)業(yè)鏈整合與國際市場拓展，具體規(guī)劃如下：
三、人員與科研團(tuán)隊規(guī)模
總員工數(shù)：截至2025年8月，公司員工超10,000人，較2024年（5,000–10,000人）實現(xiàn)翻倍增長。
科研人員占比：研發(fā)團(tuán)隊為核心力量，預(yù)計占比超50%（約5,000人以上），覆蓋光學(xué)、等離子體物理、精密機(jī)械等前沿領(lǐng)域。
人才戰(zhàn)略：
持續(xù)招募海內(nèi)外頂尖碩博，2025年校招計劃新增300名研發(fā)工程師，重點強化光刻機(jī)、量檢測等關(guān)鍵技術(shù)。
2025關(guān)鍵指標(biāo)：營收劍指25億元，訂單覆蓋國內(nèi)頭部晶圓廠，刻蝕/薄膜設(shè)備性能比肩國際水平。
增長引擎：國產(chǎn)替代（國內(nèi)設(shè)備中標(biāo)率從13%升至35%）疊加AI/智能駕駛芯片需求爆發(fā)。
挑戰(zhàn)：光刻機(jī)量產(chǎn)能力待驗證，14nm以下設(shè)備供應(yīng)鏈仍受美國管制影響。
新凱來以“名山軍團(tuán)”設(shè)備為矛，正從成熟制程向尖端領(lǐng)域突圍。若技術(shù)迭代與生態(tài)協(xié)同按規(guī)劃推進(jìn)，有望在2028年躋身全球半導(dǎo)體設(shè)備十強，重塑國產(chǎn)芯片的“裝備生命線”。
2. 特朗普政府考慮收購英特爾10%股份，以提振芯片制造商
特朗普政府官員正在討論收購英特爾10%的股份。據(jù)了解談判情況的人士透露，這是政府拯救這家陷入困境的芯片制造商和支持美國半導(dǎo)體制造業(yè)的努力的一部分，不過，股權(quán)投資的結(jié)構(gòu)和條款尚未最終確定。
本月初，特朗普總統(tǒng)要求英特爾首席執(zhí)行官陳立武（Lip-Bu Tan）因其與中國的關(guān)系而辭職，白宮與英特爾之間的談判因此升溫。陳立武上周一在白宮拜訪了總統(tǒng)，兩人在會談中討論了英特爾持有政府股份的想法。
正在考慮的一個方案是將英特爾原定根據(jù)2022年《芯片與科學(xué)法案》獲得的部分資金轉(zhuǎn)換為股權(quán)。一位知情人士稱，美國商務(wù)部長霍華德·盧特尼克（Howard Lutnick）正在尋找提高英特爾等公司根據(jù)該法案獲得資金的投資回報率的方法。英特爾是該法案的最大受益者——拜登政府于2024年宣布，英特爾有資格獲得約80億美元的撥款，用于在俄亥俄州及美國各地新建或擴(kuò)建芯片制造工廠。該公司將在達(dá)到某些里程碑后獲得這筆資金。該知情人士表示，盧特尼克認(rèn)為，將這些資金轉(zhuǎn)換為英特爾的股權(quán)，可能是政府在保護(hù)納稅人利益的同時，支持該公司的最佳方式。
俄亥俄州工廠的建設(shè)已被推遲多年，這激怒了議員們，他們認(rèn)為英特爾在撥款時誤導(dǎo)了政府。這種不滿加劇了人們對陳立武在中國商業(yè)關(guān)系的擔(dān)憂。
英特爾10%股份的具體價值仍在討論中。英特爾市值約為1000億美元。持有10%的股份將使政府成為該公司最大的股東之一。
3. AI GPU芯片真實差距對比：英偉達(dá)Blackwell平臺利潤率高達(dá)77.6%，AMD表現(xiàn)不佳
摩根士丹利（大摩）研究公司發(fā)布了一份報告，對比了不同AI解決方案在推理工作負(fù)載中的運營成本和利潤率。結(jié)果顯示，大多數(shù)運行多芯片進(jìn)行AI推理的“工廠”或公司，其利潤率超過50%，而英偉達(dá)在其中處于領(lǐng)先地位。
摩根士丹利選取了一系列功率為100兆瓦的AI“工廠”，這些工廠由不同供應(yīng)商的服務(wù)器機(jī)架組成。其中，英偉達(dá)的GB200 NVL72“Blackwell”GPU平臺實現(xiàn)了最高的利潤率，達(dá)到77.6%，預(yù)計利潤約為35億美元。
谷歌自研的TPU v6e pod以74.9%的利潤率排名第二，AWS（亞馬遜云）的Trn2 UltraServer取得了62.5%的利潤率，而華為的昇騰CloudMatrix 384平臺也取得了47.9%的利潤率。值得注意的是，AMD在AI推理方面的表現(xiàn)不盡如人意，其最新的MI355X平臺利潤率為-28.2%，較老的MI300X平臺更是低至-64.0%。
在芯片每小時收入方面，英偉達(dá)同樣表現(xiàn)突出。其GB200 NVL72芯片每小時可產(chǎn)生7.5美元的收入，HGX H200芯片每小時可產(chǎn)生3.7美元的收入，華為的昇騰CloudMatrix 384平臺的GPU芯片每小時能產(chǎn)生1.9美元的收入，而AMD的MI355X平臺每小時僅能產(chǎn)生1.7美元的收入，其他芯片大多每小時收入在0.5到2.0美元之間。
4. 三組關(guān)鍵數(shù)據(jù)揭示GaN的未來走向
行家說Research在《氮化鎵白皮書》提供了三組關(guān)鍵數(shù)據(jù)預(yù)測：
? 市場規(guī)模：2025年預(yù)計達(dá)到5億美元左右，到2030年，數(shù)據(jù)中心、汽車、人形機(jī)器人等新興市場合計將占GaN市場規(guī)模的30%左右。
? 滲透率：2025年氮化鎵與MOSFET的產(chǎn)值比為2.33%；2030年將達(dá)到11%左右；
? 產(chǎn)能利用率：2024年氮化鎵整體產(chǎn)能稼動率為30%，預(yù)計2025年將提升至42%；
GaN市場規(guī)模：
2025年將達(dá)22.35億美元，三大新賽道加速
對于總體GaN市場規(guī)模，行家說Research預(yù)測：
? 2024年GaN市場規(guī)模為3.82億美元，2025年預(yù)計達(dá)到5億美元左右，2030年將成長至約22.35億美元左右，2024-2030年的年復(fù)合增長率達(dá)到33.24%。
? 到2030年，數(shù)據(jù)中心、汽車、人形機(jī)器人等新興市場合計將占GaN市場規(guī)模的30%左右，而消費電子需求依舊增長，但占比下降至49%。
GaN滲透率：
2030年產(chǎn)值比將達(dá)11%，替代硅潛力仍巨大
2025年，整體MOSFET（包括碳化硅）的市場規(guī)模為1076億元人民幣，預(yù)計年復(fù)合增長率為6%左右，到了2030年市場規(guī)模會增長到1464億人民幣。
對照行家說Research數(shù)據(jù)可以看到，GaN功率器件滲透率將不斷提高：2025年氮化鎵與MOSFET的產(chǎn)值比2.33%，預(yù)計2030年該比值將達(dá)到11%左右，替代硅MOSFET的速度將加快，并且未來替代MOSFET的潛力仍然巨大。
GaN產(chǎn)能利用率：
2024年產(chǎn)能稼動率為30%，預(yù)計2025年加速
GaN產(chǎn)能利用率方面，行家說Research預(yù)測，2024年GaN行業(yè)的產(chǎn)能稼動率僅為30%，預(yù)計2025年隨著下游需求的增量加速，總體稼動率將提升至42%。
2026年全球GaN晶圓廠進(jìn)入產(chǎn)能優(yōu)化階段，重心將轉(zhuǎn)向提高現(xiàn)有產(chǎn)線的稼動率，假設(shè)整體行業(yè)在2026年無明顯擴(kuò)產(chǎn)，整體產(chǎn)能利用率有望突破61%。
預(yù)計到了2027年市場需求的釋放，可消耗現(xiàn)有全部產(chǎn)能（約140萬片），隨后行業(yè)將啟動新一輪產(chǎn)能擴(kuò)張，來匹配下游應(yīng)用需求的持續(xù)增長。
綜合以上，行家說Research對GaN產(chǎn)業(yè)作出了三點總結(jié)：一是氮化鎵正在“鎵”速而來，市場滲透率逐漸提升；二是氮化鎵將全面取代硅，“氮”仍需等待市場爆發(fā)；三是氮化鎵市場利好很多、變量很大，尤其是各應(yīng)用領(lǐng)域的市場發(fā)展節(jié)奏、技術(shù)迭代等存在不確定性，需要保持定力，持續(xù)努力。
5. 小米玄戒O2芯片最快明年Q2亮相，目標(biāo)全終端覆蓋
小米旗下的玄戒O2（Xring O2）芯片預(yù)計將在明年二至三季度正式亮相，初步判斷時間點在9月左右。
據(jù)悉，玄戒O2將采用Arm最新的公版架構(gòu)，憑借其更大的規(guī)模，預(yù)計至少能帶來15%以上的IPC（每時鐘周期指令數(shù)）提升，性能表現(xiàn)令人期待。
此外，小米玄戒O2有望搭載Arm Cortex-X9系列超大核，這與今年即將發(fā)布的旗艦芯片聯(lián)發(fā)科天璣9500將采用的超大核心相同，顯示出其在高端市場的競爭力。
在此之前，小米已推出首款自研SoC——玄戒O1。針對市場上關(guān)于玄戒O1是向Arm定制芯片的傳聞，小米官方已明確辟謠，表示玄戒O1并非定制方案，而是由玄戒團(tuán)隊歷時四年多自主研發(fā)設(shè)計，采用3nm工藝。
小米方面強調(diào)，玄戒O1的研發(fā)僅基于Arm最新CPU、GPU標(biāo)準(zhǔn)IP授權(quán)，多核及訪存系統(tǒng)級設(shè)計、后端物理實現(xiàn)完全由小米自主完成，并非外界傳聞的采用“Arm提供的完整解決方案”。
結(jié)合多方爆料，小米正加大投入研發(fā)玄戒O2芯片及自研5G基帶，目標(biāo)是實現(xiàn)全終端覆蓋。數(shù)碼博主“數(shù)碼閑聊站”也透露，玄戒O2芯片未來不僅會用于手機(jī)，還將考慮應(yīng)用于汽車領(lǐng)域。小米自研的四合一域控制器正是為這一布局提前準(zhǔn)備。
6. 臺積電亞利桑那晶圓廠虧損4年后開始盈利
國際電子商情訊，在經(jīng)過數(shù)年連續(xù)虧損(累計虧損近400億新臺幣)之后，臺積電亞利桑那晶圓廠（TSMC Arizona）終于盈利，目前該工廠已經(jīng)連續(xù)兩個季度實現(xiàn)盈利。這標(biāo)志著，臺積電在美國的晶圓廠布局開始步入正軌。
根據(jù)臺積電最新財報顯示，亞利桑那晶圓廠2025年Q1亞利桑那晶圓廠營收4.96億元新臺幣，但臺積電認(rèn)列該廠的投資收益虧損為19.31億元；2025年Q2的稅后凈利潤為42.32億元新臺幣，累計上半年稅后凈利潤達(dá)47.28億新臺幣，TSMC Arizona母公司臺積電方面也認(rèn)列第二季64.47億元新臺幣的投資收益。
值得注意的是，雖然亞利桑那晶圓廠2025年Q2稅后凈利潤僅為臺積電當(dāng)季季稅后凈利潤的1.62%，但是仍被視為臺積電自2020年宣布在美國進(jìn)行投資擴(kuò)產(chǎn)以來的關(guān)鍵里程碑。
對此，臺積電方面表示，“依據(jù)公司2025年上半年度合并財務(wù)報告，TSMC Arizona已開始為公司營收帶來正面貢獻(xiàn)。然公司獲利系受多元因素影響，包含產(chǎn)能利用率、折舊及持續(xù)的資本投資等，我們會在適當(dāng)?shù)臅r間再作細(xì)節(jié)說明?！?/span>
臺積電分析稱，TSMC Arizona對公司營收的正面貢獻(xiàn)，主要是因市場需求強勁而有高產(chǎn)能利用率。未來五年，海外晶圓廠量產(chǎn)將導(dǎo)致毛利率稀釋，在初期的影響約為每年2%~3%，到了后期將擴(kuò)大至3%~4%。
2020年，臺積電選擇美國亞利桑那州鳳凰城建立其首個美國先進(jìn)半導(dǎo)體制造基地——這項里程碑式的投資已從最初的120億美元追加至1650億美元，成為美國歷史上綠地項目中規(guī)模最大的外國直接投資。亞利桑那州計劃包含六座半導(dǎo)體晶圓廠、兩座先進(jìn)封裝設(shè)施及一個研發(fā)中心。該投資將強化美國在人工智能、高性能計算和先進(jìn)移動應(yīng)用等關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。
關(guān)鍵里程碑：
臺積電亞利桑那州基地將通過提升美國先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的本土產(chǎn)能，進(jìn)一步鞏固亞利桑那州作為美國創(chuàng)新中心的地位。
7. 2025年第二季度DRAM市場營收市占排名出爐！
2025年二季度全球DRAM市場規(guī)模環(huán)比增長20%至321.01億美元，創(chuàng)歷史季度新高。
AI驅(qū)動以HBM3E和高容量DDR5為代表的高價值DRAM需求持續(xù)增長，以及二季度存儲原廠EOL通知刺激傳統(tǒng)DDR4/LPDDR4X價格與需求快速攀升的雙重驅(qū)動下，2025年二季度全球DRAM市場規(guī)模環(huán)比增長20%至321.01億美元，創(chuàng)歷史季度新高。
與此同時，SK海力士繼續(xù)刷新自己在DRAM市場的優(yōu)勢，在2025年二季度以38.2%的市場份額再度蟬聯(lián)第一，并擴(kuò)大了與三星的差距。
2Q25全球DRAM市場規(guī)模321.01億美元，環(huán)比增長20%，同比增長37%.
8. 四年后王者歸來，華為重奪中國智能手機(jī)市場榜首
國際數(shù)據(jù)公司（IDC）最新發(fā)布的報告顯示，2025年第二季度中國智能手機(jī)市場格局發(fā)生重大變化。在整體出貨量同比下滑4.1%至6886萬臺的背景下，華為以1250萬臺出貨量、18.1%的市場份額，時隔四年重返中國智能手機(jī)市場榜首，終結(jié)了小米連續(xù)兩個季度的領(lǐng)先地位。
全球范圍內(nèi)，2025年第二季度智能手機(jī)出貨量達(dá)2.97億臺，同比增長1.4%，呈現(xiàn)溫和復(fù)蘇態(tài)勢。然而，中國市場卻結(jié)束連續(xù)六個季度的同比增長，出貨量降至6886萬臺，同比下降4.1%。IDC分析指出，這一趨勢與“618”電商大促期間廠商以清理庫存為主、政策補貼效應(yīng)減弱及消費者信心低迷有關(guān)。
中國市場份額前五名依次為華為、vivo、OPPO、小米和蘋果，具體表現(xiàn)如下
華為的回歸被視為中國智能手機(jī)市場的重要轉(zhuǎn)折點。IDC指出，其成功源于以下三點。
第一，技術(shù)突破。自研麒麟芯片回歸與鴻蒙系統(tǒng)迭代（如HarmonyOS 5），構(gòu)建“硬件+軟件”生態(tài)壁壘。
第二，產(chǎn)品矩陣。Mate系列鞏固高端市場，nova系列覆蓋中端價位，折疊屏產(chǎn)品（如Mate XT）以72.6%的份額壟斷細(xì)分市場。
第三，渠道優(yōu)化。供應(yīng)鏈恢復(fù)后，線下渠道鋪貨速度提升40%，直接拉動銷量。
9. 英偉達(dá)擬自研HBM彌補短板3nm工藝2027H2小規(guī)模試產(chǎn)
盡管英偉達(dá)在全球AI芯片領(lǐng)域“異常強大”，但似乎有一個致命的“掣肘”——HBM。
8月19日消息，英偉達(dá)擬自研HBM內(nèi)存Base Die，采用3nm工藝，計劃于2027年下半年開始小規(guī)模試產(chǎn)，以彌補HBM這一短板。這一時間點大致對應(yīng)"Rubin"后的下一代AI GPU "Feynman"。
英偉達(dá)未來的HBM內(nèi)存供應(yīng)鏈將采用內(nèi)存原廠DRAM Die+英偉達(dá)Base Die的組合模式。這一計劃標(biāo)志著英偉達(dá)在高性能計算存儲架構(gòu)領(lǐng)域的垂直整合深化，未來所有 HBM 堆疊產(chǎn)品將使用英偉達(dá)自研方案，以優(yōu)化 AI 芯片內(nèi)存帶寬與能效匹配度。
HBM（高帶寬內(nèi)存）已成為制約AI芯片性能的"存儲墻"關(guān)鍵因素。隨著AI芯片對內(nèi)存帶寬和容量的需求不斷增長，HBM技術(shù)也在不斷迭代。從英偉達(dá)A100到Blackwell Ultra系列產(chǎn)品，HBM不僅在材料清單（BOM）中的成本占比已超過50%，而且絕對和相對增長的最大部分均來自HBM。
目前，HBM市場主要由SK海力士、三星、美光等頭部供應(yīng)商主導(dǎo)，其中SK海力士占據(jù)最高市占率。然而，隨著HBM4時代到來，傳輸速率要求提升至10Gbps以上，Base Die需要采用先進(jìn)的邏輯制程，生產(chǎn)也必須依靠如臺積電等晶圓代工廠，包括12nm或更先進(jìn)節(jié)點。盡管相關(guān)供應(yīng)鏈主導(dǎo)權(quán)目前仍掌握在SK海力士等頭部DRAM廠商手中，但他們都已透露未來將導(dǎo)入晶圓代工等級的邏輯制程的Base Die進(jìn)入到HBM當(dāng)中，以提升產(chǎn)品性能與能耗比。
而英偉達(dá)計劃自研HBM內(nèi)存Base Die，旨在增強其在HBM內(nèi)存上的議價能力，并引入一系列高級功能。通過自研Base Die，英偉達(dá)能夠更好地控制HBM與GPU、CPU之間的數(shù)據(jù)傳輸，提升整體性能。此外，自研Base Die還有助于英偉達(dá)進(jìn)一步強化其NVLink Fusion開放架構(gòu)生態(tài)系的掌控力。
然而，英偉達(dá)自研HBM內(nèi)存Base Die勢必將對以SK海力士為代表的存儲芯片廠商帶來一些影響。英偉達(dá)自研Base Die將打破SK海力士等存儲巨頭的技術(shù)壁壘，使存儲芯片廠商從HBM的全面提供者變?yōu)榉止じ?xì)的組件供應(yīng)商。同時，混合鍵合、新型中介層等配套技術(shù)需求將激增，推動上游材料與設(shè)備市場的發(fā)展。
英偉達(dá)自研HBM Base Die的計劃被視為對ASIC市場的挑戰(zhàn)，但其解決方案被CSP大廠采用的可能性不高。然而，英偉達(dá)的模組化設(shè)計有望使聯(lián)發(fā)科、世芯等合作伙伴受益，獲得更多商機(jī)。此外，隨著英偉達(dá)擬自制Base Die與SK海力士加速HBM4量產(chǎn)，HBM市場將迎來新一波競爭與變革。
10. AI+EDA引爆F(xiàn)ab革命，華大九天Vision工具率先打響良率之戰(zhàn)
根據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù)，2025年全球晶圓代工市場規(guī)模有望增長到1698億美元。然而，F(xiàn)ab廠的擴(kuò)張與盈利，始終繞不開良率（Yield）這一生命線。
傳統(tǒng)的工藝診斷依賴人工經(jīng)驗與反復(fù)試驗，難以應(yīng)對日益復(fù)雜的工藝變量。在這場終極較量中，EDA（電子設(shè)計自動化）工具正以 AI 為引，掀起一場Fab廠的智能革命。
Fab 廠的良率困局
有數(shù)據(jù)顯示：對于 存儲廠而言，1% 的良率提高可能意味著每年 1.1 億美元的凈利潤；而對于尖端的邏輯Fab廠而言，1% 的良率提升意味著 1.5 億美元的凈利潤。隨著先進(jìn)制程不斷演進(jìn)，這些數(shù)字還在持續(xù)攀升 ——TrendForce 在相關(guān)報告中指出，3nm 工藝的 12 英寸晶圓單片價格達(dá) 2 萬美元，較 5nm 的約 1.6 萬美元上漲了 25%。
在良率管理方面，傳統(tǒng)檢測依賴人工目檢或規(guī)則算法。人工目檢需要檢測人員逐個檢查晶圓上的微觀結(jié)構(gòu)，通常需要借助顯微鏡等設(shè)備，需要花費大量時間來仔細(xì)觀察每一個細(xì)節(jié)，結(jié)果很大程度上依賴主觀判斷；規(guī)則算法是基于預(yù)定義的規(guī)則來檢測缺陷，這些規(guī)則通常是根據(jù)已知的缺陷特征和經(jīng)驗制定的，對數(shù)據(jù)耦合的反應(yīng)非常差，當(dāng)出現(xiàn)新的缺陷類型時，規(guī)則算法可能無法及時識別。
而 Fab 廠的良率提升，本質(zhì)上是與 “變量” 的博弈。這些變量滲透在制造全流程中：從硅片材料的純度波動，到光刻機(jī)的納米級對準(zhǔn)誤差；從蝕刻過程中的溫度偏差，到薄膜沉積的厚度均勻性，等等。更為棘手的是，這些變量之間存在耦合關(guān)系，且工藝水平提升也會導(dǎo)致關(guān)聯(lián)的變量越來越多，任何微小的工藝偏差，都可能引發(fā)良率驟降。傳統(tǒng)工藝診斷的弊端在此背景下被進(jìn)一步放大——主觀性強、數(shù)據(jù)割裂、滯后明顯，迫使行業(yè)尋求一種更智能、高效的解決方案。